| 发明名称 |
Integrierte Schaltungsanordnung mit mindestens zwei vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19720193(C2) |
申请公布日期 |
2002.10.17 |
| 申请号 |
DE19971020193 |
申请日期 |
1997.05.14 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GOEBEL, BERND;BERTAGNOLLI, EMMERICH |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/088;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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