半导体衬底的制备方法

摘要

磷化铟半导体衬底(10)是为随后生长外延层(12到16)生长而制备的，以形成一个半导体器件(5)。在制备中，首先对衬底(10)进行退火来促进来自衬底扩散的杂质原子的表面堆积趋势，并有助于衬底表面杂质原子的消除。然后对衬底(10)进行表面腐蚀来进一步消除杂质，并为随后的外延层生长提供一个干净、平整的表面。制备的最后阶段包括在衬底上生长一个半绝缘缓冲层(11)将衬底与器件外延层(12到16)隔离开。

主权项

1.用于制备半导体衬底，以便随后在其上生长半导体层的方法，所属半导体衬底为III-V化合物，该方法包括以下步骤：(a)将所述衬底置于反应室中；(b)将一种气体介质引入反应室；(c)在气体介质存在下对衬底退火，以降低衬底中杂质原子的浓度；并且之后，(d)当衬底在反应室中时，在衬底上生长一个或多个缓冲层，该缓冲层或至少一个缓冲层包含掺金属原子的半导体材料，以提供载流子陷阱。