具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件具备第1导电类型的衬底、第2导电类型的第1和第2半导体区域互相分开形成于衬底主表面上、第1导电类型的第3半导体区域在上述第1半导体区域上形成、和形成于第1与第3半导体区域之间且杂质浓度高于第1半导体区域的第4半导体区域、形成于衬底主表面上的第1、第2主电极和栅绝缘膜、以及至少在衬底上和衬底与第3半导体区域之间的第1半导体区域上形成的栅电极。第1主电极与第1和第3半导体区域连接。第2主电极与第2半导体区域电连接。

主权项

1、一种半导体器件具备：具有主表面的第1导电类型的半导体衬底；上述半导体衬底的上述主表面上，互相分开形成的第2导电类型的第1半导体区域和第2半导体区域；形成于上述第1半导体区域的第1导电类型的第3半导体区域；上述半导体衬底的上述主表面上边形成的第1主电极，上述第1主电极电连接到第1半导体区域和第3半导体区域；上述半导体衬底的上述主表面上边形成的第2主电极，上述第2主电极电连接到上述第2半导体区域；上述半导体衬底的上述主表面上边形成的栅绝缘膜；至少在上述半导体衬底上边及上述半导体衬底与上述第3半导体区域之间的上述第1半导体区域上边，介以上述栅绝缘膜形成的栅电极；以及在上述第1半导体区域与上述第3半导体区域之间形成，并具有杂质浓度比上述第1半导体区域杂质浓度还高的第4半导体区域。