| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1092844C | 申请公布日期 | 2002.10.16 |
| 申请号 | CN94104267.7 | 申请日期 | 1994.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;高山彻;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L29/768 | 主分类号 | H01L29/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一衬底上形成非晶硅膜；在上述非晶硅膜上形成含至少一种金属元素的膜，以促进该非晶硅膜的晶化；用激光或强度等于激光的光选择性地只照射所述非晶硅膜的一部分，以使该非晶硅膜的这部分晶化；和通过加热使所述非晶硅膜退火从而使该非晶硅膜晶化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||