| 摘要 |
<p>Zapojen st° da e je provedeno s alespo jednou v tv se sud²m po tem vypnuteln²ch tyristor (GTO1, GTO2) a s antiparaleln mi diodami (D1, D2), zapojen²mi antiparaleln k vypnuteln²m tyristor m (GTO1, GTO2). V tev nebo ka d v tev je p°ipojena ke zdroji stejnosm rn ho nap t , a st°edn spole n² uzlov² bod v tve nebo ka d v tve tvo° p° poj pro z t , jako i s prost°edky omezuj c mi n r st proudu a nap t , kter chr n vypnuteln tyristory (GTO1, GTO2) p°ed p° li strm²mi n b hov²mi hranami n r stu proudu a nap t . Vypnuteln tyristory (GTO1, GTO2) maj vyp nac zes len IA/IGpeak men ne 3 a p°i vypnut jsou ovladateln vzr stem anodov ho nap t alespo 1 kV/.mi.s, p°i em prost°edky omezuj c n r st nap t na ka dou v tev obsahuj jen alespo jeden kondenz tor (C1, C2), kter² je uspo° d n paraleln s jednou z antiparaleln ch diod (D1, D2) p° slu n ho vypnuteln ho tyristoru (GTO1, GTO2). Prost°edky omezuj c n r st proudu a nap t obsahuj alespo jednu induk nost (L), p°i em p°i pou it jednotliv induk nosti (L) prost°edk omezuj c ch n r st proudu a nap t je hodnota induk nosti (L) a p°i pou it v ce induk nost (L1, L2) prost°edk omezuj c ch n r st proudu a nap t je sou et hodnot induk nost (L1, L2) zvolen tak, e pom r meziobvodov ho nap t (U.sub.m.n.) na v tvi k hodnot induk nosti (L) nebo k sou tu hodnot induk nost (L1, L2) je v t nebo roven 1 kA za .mi.s./</p> |
