| 主权项 |
1.一种浅沟渠形成方法,适用于一半导体基板上相邻两深沟渠式电容构造间之一区域中形成一浅沟渠,而该深沟渠式电容构造中系具有一衣领结构以及一导体结构,该浅沟渠形成方法包含下列步骤:于具有该等深沟渠式电容构造之该半导体基板上方形成一罩幕层并定义出一罩幕;对未被该罩幕覆盖之该区域进行一第一蚀刻制程,用以形成一第一深度沟渠,而该第一蚀刻制程系具有该导体结构对该罩幕之高选择比;以及对该第一深度沟渠进行一第二蚀刻制程,用以形成一第二深度沟渠,而该第二蚀刻制程系具有该导体结构对该衣领结构之选择比实质上相当接近1之特征。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠形成方法,其中该半导体基板系为一矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠形成方法,其中该衣领结构系以氧化矽构成。4.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠形成方法,其中该导体结构系以多晶矽完成。5.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠形成方法,其中该罩幕层包含:一氧化矽层,形成于该半导体基板之上;一氮化矽层,形成于该氧化矽层之上;以及一经掺杂之氧化矽层,形成于该氮化矽层之上。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠形成方法,其中该经掺杂之氧化矽层系为一硼矽玻璃层。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠形成方法,其中该第一蚀刻制程系具有矽对氧化矽之高选择比。8.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠形成方法,其中该第二蚀刻制程系具有该多晶矽对该氧化矽之选择比实质上相当接近1之特征。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠形成方法,其中该第二蚀刻制程系为一电浆蚀刻制程。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠形成方法,其中该电浆蚀刻制程中之反应气体包含有三氟甲烷(CHF3)、四氟甲烷(CF4)以及氯(C12)。11.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠形成方法,其中该第一深度沟渠底面之深度系小于该衣领结构顶面之深度。12.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠形成方法,其中该第一蚀刻制程中之反应气体包含有溴化氢(HBr)、氯(C12)、氧(O2)以及钝气。图式简单说明:第一图(a)(b)(c):其系于已形成深沟渠式电容构造之半导体基板上蚀刻出浅沟渠之习用手段示意图。第二图(a)(b)(c):其系于已形成深沟渠式电容构造之半导体基板上蚀刻出浅沟渠之习用手段示意图。第三图(a)(b)(c)(d):其系于已形成深沟渠式电容构造之半导体基板上蚀刻出浅沟渠之本案较佳实施例手段示意图。第四图(a)(b)(c)(d):其系于已形成深沟渠式电容构造之半导体基板上蚀刻出浅沟渠之本案较佳实施例手段示意图。 |
