发明名称 多位元记忆体中安排码位元的方法
摘要 一种以对应于记忆胞之复数个临限电压状态的码组合存取数据之方法,包括下列步骤:接收外部数据位元;将该外部数据位元转换成一码组合,该码组合与相邻之码组合只有一个位元相异;以及将一被选择到的记忆胞设定一对应于该码组合转换的临限电压。
申请公布号 TW505857 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW087109380 申请日期 1998.06.12
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 高墉楠;元大植
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种以对应于记忆胞之复数个临限电压状态的码组合存取数据之方法,包括下列步骤:接收外部数据位元;将该外部数据位元转换成一码组合,该码组合与相邻之码组合只有一个位元相异;以及将一被选择到的记忆胞设定一对应于该码组合转换的临限电压。2.如申请专利范围第1项所述之码组合存取数据方法,更包括下列步骤:于该外部数据位元被供给至一外部前读取该被选择到的记忆胞之数据后,将码组合转换成原始的该外部数据位元。图式简单说明:第1图绘示一种习知多位元记忆体中对应于记忆胞的临限电压之形式图;第2图绘示依据本发明之四种临限电压状态与对应于该四种临限电压状态之码位元的安排形式图;第3图进一步绘示依据本发明之临限状态与各种码位元的组合安排形式图;以及第4图绘示依据本发明之一种记忆体的功能性结构图。
地址 韩国