发明名称 用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法
摘要 一种用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,适用于一晶圆,上述晶圆的表面具有一形成有晶圆识别记号之区域,包括下列步骤:形成一光阻层于上述晶圆表面之形成有晶圆识别记号之区域。藉由一具有既定图案之光罩于一第一位置对上述光阻层施行一第一曝光步骤,存于一第二位置对上述光阻层施行一第二曝光步骤。以及,施行一显影步骤。其中,上述第一位置与上述第二位置系具有一既定间隔。
申请公布号 TW506109 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW090129281 申请日期 2001.11.27
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王辉朋;林国伟;游秀美;林大扬;曾立鑫
分类号 H01L23/544 主分类号 H01L23/544
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,适用于一晶圆,上述晶圆的表面具有一形成有晶圆识别记号之区域,包括下列步骤:形成一光阻层于上述晶圆表面之形成有晶圆识别记号之区域;藉由一具有既定图案之光罩于一第一位置对上述光阻层施行一第一曝光步骤,再于一第二位置对上述光阻层施行一第二曝光步骤;以及施行一显影步骤;其中:上述第一位置与上述第二位置系具有一既定间隔。2.如申请专利范围第1项所述之用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,其中上述光阻为负型光阻。3.如申请专利范围第1项所述之用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,其中上述光阻为乾膜光阻。4.如申请专利范围第3项所述之用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,其中上述乾膜光阻为负型光阻。5.如申请专利范围第1项所述之用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,其中上述具有既定图案之光罩为凸块形成用光罩。6.如申请专利范围第1项所述之用以在凸块形成步骤后使晶圆识别记号清楚识别之方法,其中上述具有既定图案之光罩为凸块底部金属(Under BumpMetal)形成用光罩。图式简单说明:第1图系表示刻印有晶圆识别记号之晶圆的示意上视图。第2图系表示第1图中A区域之部份放大示意图。第3a图~第3c图系表示本发明方法之步骤流程示意图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号