| 主权项 |
1.一种蚀刻低介电常数材料之方法,适用于一半导体基底,其表面上依序包含有一蚀刻停止层、一低介电常数介电层及一介电抗反射层,该方法包括下列步骤:涂布一光阻层覆盖在该介电抗反射层的表面上,并以微影成像程序定义出蚀刻图案;以该光阻层图案作为罩幕蚀刻该介电抗反射层,蚀刻剂为CxFy含量20-150sccm、N2含量50-300sccm及O2含量0-30sccm;以及以该光阻层及该介电抗反射层图案作为罩幕蚀刻该低介电常数介电层,蚀刻剂为高C/F比之CxFy含量5-15sccm及N2含量100-300sccm。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之步骤,包括:对该低介电常数介电层施行第一次蚀刻程序,蚀刻剂为高C/F比之CxFy含量5-15sccm、N2含量100-300sccm及O2含量2-10sccm;以及对该低介电常数介电层施行第二次蚀刻程序,蚀刻剂为高C/F比之CxFy含量5-15sccm及N2含量100-300sccm。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻功率为1000-1500瓦。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻气体压力为10-100mtorr5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻功率为1000-1800瓦。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻气体压力为10-60mtorr。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻剂中CxFy更包括含H之CxFy。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻剂中CxFy为CF4.CHF,或CH2F2。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻剂中高C/F比之CxFy为C5F8.C4F8或C4F6。10.一种蚀刻低介电常数材料之方法,适用于一半导体基底,其表面上依序包含有一蚀刻停止层、一低介电常数介电层及一介电抗反射层,该方法包括下列步骤:涂布一光阻层覆盖在该介电抗反射层的表面上,并以微影成像程序定义出蚀刻图案;以该光阻层图案作为罩幕蚀刻该介电抗反射层,蚀刻剂为CxFy含量20-150sccm、N2含量50-300sccm及O2含量0-30sccm;以该光阻层及该介电抗反射层图案作为罩幕对该低介电常数介电层施行第一次蚀刻程序,蚀刻剂为高C/F比之CxFy含量5-15sccm、N2含量100-300sccm及O2含量2-10sccm;以及对该低介电常数介电层施行第二次蚀刻程序,蚀刻剂为高C/F比之CxFy含量5-15sccm及N2含量100-300sccm。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻功率为1000-1500瓦。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻气体压力为10-100mtorr。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻功率为1000-1800瓦。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻气体压力为10-60mtorr。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻剂中CxFy更包括含H之CxFy。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中蚀刻该介电抗反射层之蚀刻剂中CxFy为CF4.CHF3或CH2F2。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中蚀刻该低介电常数介电层之蚀刻剂中高C/F比之CxFy为C5F8.C4F8或C4F6。图式简单说明:第1至6图为根据本发明实施例之蚀刻低介电常数材料之方法的制造流程剖面图。 |
