| 主权项 |
1.一种用于微影制程之光罩,包含:提供一影像图形之复数个特征,该特征将在罩幕基底上以一行方向排列,每一特征会进行加维处理,在暴露光线下时,会产生和该光罩所生成之所有其他影像分离之影像;而且一线条特征会于该罩幕之基底上形成,并以行方向在该复数个特征値之每一间进行延展并交错,该线条特征会以行方向延展至和该复数个特征所产生之影像相同之长度,当暴露于光线下时,其中由该复数个特征之每一个产生之影像及线条特征仍会维持相互分离。2.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中位于基底上之复数个特征间最好能以大于分隔空间维度、使其相邻特征彼此间能以行方向空置分离,并且由复数个特征产生之影像出现具有由分隔空间维度分离之复数个特征。3.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中线条特征包含一宽度,其产生比一已知技术之基本标准维度更少之影像。4.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中复数个特征包含产生一深层沟槽或接触孔之图形。5.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中该线条特征包含一宽度,其可对于光罩邻近于复数个特征及线条特征之间交错点所产生之影像进行辨识,但是不能对于光罩在行方向邻近的特征之间,中间的分隔空间部分所产生之影像进行辨识。6.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中复数个特征系以对称方式排置于类似线条特征。7.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中复数个特征系以非对称方式排置于类似线条特征。8.一种在一阻抗层面中形成一沟形图像之光罩,包含:以列方向及行方向排列于罩幕基底上之复数个沟形特征,每一特征进行加维处理,以产生和该光罩生成之其他影像分离之个别影像;线条特征于罩幕基底上生成,并且在每一行方向之每一沟形特征之间进行延展,该沟形特征及线条特征包含一影像图形,其中影像图形暴露在光线下时,线条特征之影像会延展由该沟型特征所产生影像之行方向长度,而每一沟形特征之影像仍维持相互分离。9.如申请专利范围第8项所述之光罩,其中在罩幕基底中之沟形特征以大于分隔空间维度、使其相邻特征彼此间能以相同行方向空置分离,而且将沟形特征所产生之影像进行分离就如同将沟形特征以分隔空间维度进行空置分离。10.如申请专利范围第9项所述之光罩,其中分隔空间维度包含一基本标准维度。11.如申请专利范围第8项所述之光罩,其中沟形特征包含一长度及由沟形特征及线条特征所产生之影像为沟形特征比该长度高出20%之长度。12.如申请专利范围第8项所述之光罩,其中该线条特征包含一宽度,其产生比一已知技术之基本标准维度更少之影像。13.如申请专利范围第8项所述之光罩,其中该线条特征包含一宽度,其可对于光罩邻近于复数个特征及线条特征之间交错点所产生之影像进行辨识,但是不能对于光罩在一相同行方向邻近的特征之间、中间的分隔空间部分所产生之影像进行辨识。14.如申请专利范围第8项所述之光罩,其中在一相同行方向之沟形特征系以对称方式排置于相同行方向之线条特征。15.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中在一相同行方向之沟形特征系以非对称方式排置成类似相同行方向之线条特征。16.一种用于一光罩中松缓影像配置容忍度之方法,包含以下步骤:提供一光罩,包含复数个提供一影像图形之特征,该特征将以行方向排列于罩幕基底上,每一特征会进行加维处理,以产生和该光罩所生成之所有其他影像分离之个别影像,而且一影像图形之线条特征,该线条特征会于该遮罩之基底上形成,并以行方向在该复数个特征値之间进行延展,该线条特征会以行方向延展至和该复数个特征所产生之影像,其中该复数个特征个别产生之影像仍会维持相互分离;而且根据光罩产生一图像,以导引光线通过光罩于一阻抗层面上,使阻抗层面暴露于光线下,因此复数个特征之影像将由于线条特征而在行方向进行延展。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中提供之步骤包含在罩幕基底上之复数个特征以大于分隔空间维度、使其相邻特征以相同行方向空置分离之步骤,其中由复数个特征产生之影像以分隔空间维度进行分离。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中线条特征包含一宽度,其提供比一已知技术之基本标准维度更少之影像。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中复数个特征包含形成一深层沟槽或接触孔之图形。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中提供之步骤包含提供线条特征宽度之步骤,其中可对于光罩邻近于复数个特征及线条特征之间交错点所产生之影像进行辨识,但是不能对于光罩在行方向邻近的特征之间、中间的分隔空间部分所产生之影像进行辨识。21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中提供之步骤包含复数个特征以关于线条特征之对称方式生成之步骤。22.如申请专利范围第16项所叙述之方法,其中提供之步骤包含复数个特征以关于线条特征之非对称方式生成之步骤。23.如申请专利范围第16项所述之方法,进一步包含调整线条特征之宽度,以改变复数个特征之长度之步骤。图式简单说明:图1系说明根据先前技艺对于深层沟形光罩形状进行表示之概要图;图2系说明根据先前技艺藉由图1中显示之一特征所产生之深层沟形影像进行表示之对照图;图3系说明根据本发明之一使用辅助线条之光罩之设计图;图4系说明根据本发明之一阻抗层面使用图3之光罩之侧面概要图;图5系说明根据本发明之一具有根据图3之光罩所形成结构之一基底之上方概要图;图6系说明根据本发明对于深层沟形光罩特征进行表示之设计图;图7系说明根据本发明藉由图6中显示之特征所产生之深层沟形影像进行表示之对照图;及图8系说明根据本发明之一具有配置相关特征(304)对称式辅助线条之深层沟形光罩特征之设计图。 |
