| 主权项 |
1.一种与像素有关之有机电致发光(EL)装置之制造方法,该方法包括下列步骤:a)提供一透光基板,在其上方形成复数隔开之透光阳极及至少一由基板边缘朝内地延伸而用于提供电连接之阴极连接器,以致激励电压能施加至一选择之阳极及至少一阴极之间,俾能藉着所选择之阳极及该至少一阴极所形成装置之像素造成光发射;b)在该至少一阴极连接器上方形成一电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构;c)提供一掩罩,其在该基板上方界定一沈积区,用于在该有机EL中介层上方沈积一电绝缘有机EL中介层及一导电阴极;d)首先藉着有机EL材料之蒸气沈积制程沈积该有机EL中介层,该有机EL材料系引导朝向该基板并进入该沈积区,及使用关于该阴极连接器遮蔽结构之一蒸气沈积方向,以造成所形成之有机EL中介层终止在由该至少一阴极连接器遮蔽结构之基底隔开之位置;及e)其次藉着导电材料之蒸气沈积制程沈积该导电阴极,该导电材料引导朝向该有机EL中介层并进入该沈积区,及使用关于该阴极连接器遮蔽结构之一蒸气沈积方向,以造成该导电阴极形成在该有机EL中介层上方,该导电阴极终止在与该至少一阴极连接器呈电接触之位置,在此该有机EL中介层系由该至少一阴极连接器遮蔽结构之基底隔开。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该掩罩系提供用作框架结构之一部分,用以关于该基板精确地定位该掩罩。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机EL材料之蒸气沈积方向实质上系垂直于该基板之表面。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该导电材料之蒸气沈积方向关于该阴极连接器遮蔽结构之中心线正对一角度 ,以造成该导电阴极终止在与该阴极连接器电接触之位置,该位置系比该有机EL中介层之位置更接近该阴极连接器遮蔽结构之基底。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电阴极终止在与复数隔开之阴极连接器之每一个呈电接触处,及在该阳极及该基板上方形成复数隔开之有机阴极分离遮蔽结构,该导电阴极在垂直于该阳极之方向中延伸,以提供复数之隔开阴极。6.如申请专利范围第5项之方法,其中每一隔开之有机阴极分离遮蔽结构包含一电绝缘有机基底层及一形成在该基底层上方之电绝缘有机阴极分离遮蔽结构。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该有机基底层之宽度尺寸WB系大于该有机遮蔽结构之宽度尺寸WS。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该掩罩提供步骤c)尚包含下列步骤:在该掩罩上方提供一重叠掩罩,该重叠掩罩在该基板上方界定一重叠沈积区,该重叠沈积区系比用于在该基板主第一部分上方沈积第一电绝缘有机EL中介层之掩罩界定沈积区较小。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该沈积步骤d)及e)尚包含下列步骤:i)首先藉着引导朝向该基板进入该重叠沈积区之第一有机EL材料之蒸气沈积在该基板之第一部分上方沈积该第一有机EL中介层;ii)移除该重叠掩罩及遮蔽该第一有机EL中介层免于进一步之有机EL中介沈积;iii)其次藉着引导朝向该基板进入该掩罩沈积区之第二有机EL材料之蒸气沈积在该基板主其余未遮蔽部分上方沈积第二有机EL中介层;iv)移除该第一有机EL中介层上方之遮蔽作用;及v)第三藉着引导朝向该第一及第二有机EL中介层进入该沈积区之导电材料之蒸气沈积制程沈积该导电阴极。10.一种与像素有关之主动式矩阵有机电致发光(EL)装置之制造方法,该方法包括下列步骤:a)提供一透光基板,在其上方形成复数隔开之薄膜电晶体(TFT)电路及电连接至每一TFT电路之透光阳极,且一阴极连接器由基板边缘朝内地延伸而用于提供电连接,以致激励电压能施加至一选择TFT电路之阳极及共用阴极之间,俾能藉着所选择之TFT电路所形成装置之像素造成光发射;b)在该阴极连接器上方形成至少一电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构;c)提供一掩罩,其在该基板上方界定一沈积区,用于在该有机EL中介层上方沈积一电绝缘有机EL中介层及一导电阴极;d)首先藉着有机EL材料之蒸气沈积制程沈积该有机EL中介层,该有机EL材料系引导朝向该基板并进入该沈积区,及使用关于该至少一阴极连接器遮蔽结构之一蒸气沈积方向,以造成所形成之有机EL中介层终止在由该至少一阴极连接器遮蔽结构之基底隔开之位置;及e)其次藉着导电材料之蒸气沈积制程沈积该导电阴极,该导电材料引导朝向该有机EL中介层并进入该沈积区,及使用关于该至少一阴极连接器遮蔽结构之一蒸气沈积方向,以造成该导电阴极形成在该有机EL中介层上,该导电阴极终止在与该阴极连接器呈电接触之位置,在此该有机EL中介层系由该至少一阴极连接器遮蔽结构之基底隔开。图式简单说明:图1-7概要地描述制造先前技艺之像素相关有机电致发光(EL)装置之特点,其中图1系一基板之平面图,其具有复数隔开之阳极、阴极连接器、及在垂直于该阳极之方向中延伸之阴极分离遮蔽结构;图2系取自图1沿着剖线2-2之基板剖视图;图3系取向图1沿着剖线3-3之基板剖视图;图3A系具有一基底及在该基底上方之遮蔽结构之有机阴极分离遮蔽结构之放大剖视图;图4系该基板之平面图,其具有藉着界定第一沈积区之第一掩罩所覆盖之各部分,用于在该基板上沈积一有机EL中介层;图5系取自图4沿着剖线5-5之基板放大剖视图,且指示藉着蒸气沈积由一蒸气源形成该有机EL中介层之各部分,该蒸气源系在实质上垂直于该基板之方向中于该第一沈积区中入射在该基板上;图6系该基板上之平面图,其具有藉着界定第二沈积区之第二掩罩所覆盖之各部分,用于在该有机EL中介层上方及在该阴极连接器之各部分上方沈积一导电阴极,以致该有机EL中介层将保护该阳极免于电接触该阴极;图7系取自图6沿着剖线7-7之一放大剖视图及显示一形成于阴极连接器及阴极间之接触区域,该阴极藉着该阴极分离遮蔽结构由邻接之阴极隔开,该阴极分离遮蔽结构于该第二沈积区在实质上垂直于该基板之方向中遮蔽一入射在该基板上之阴极材料蒸气;图8-16概要地指示按照本发明制造一与像素有关之有机电致发光(EL)装置之特点,且在一基板上具有复数隔开之阳极、阴极分离遮蔽结构、及阴极连接器,而使得每一阴极连接器具有一阴极连接器遮蔽结构,其中图8系一基板之平面图,其具有复数隔开之阳极、在垂直于该阳极之方向中延伸之阴极分离遮蔽结构、二边界层、及隔开之后极连接器,而使得每一阴极连接器具有一阴极连接器遮蔽结构;图9系取自图8沿着剖线9-9之放大剖视图及显示形成在该阳极及该基板上方之边界层之一;图10系取自图8沿着剖线10-10之放大剖视图及显示一形成在阴极连接器上方之阴极连接器遮蔽结构;图11系该基板之一平面图,其具有藉着界定一沈积区之掩罩所覆盖之各部分,该沈积区系用于在该基板上沈积一有机EL中介层及用于在该有机EL中介层上方沈积一阴极;图12系取自图11沿着剖线12-12之基板剖视图,其中该基板系配置在一支撑该掩罩之掩罩框架结构内;图13系一有机EL装置之平面图,其中一有机EL中介层及一阴极或多阴极已于该沈积区中形成在图11基板上方;图14系取自图13沿着剖线14-14之一阴极连接器及一阴极连接器遮蔽结构之放大剖视图,及显示第一(有机EL)及第二(阴极)蒸气沈积以形成一有机EL中介层及形成一与阴极连接器电接触之阴极;图15系配置在一掩罩框架结构内之基板剖视图,该框架结构支撑一界定较大沈积区之掩罩及一界定较小沈积区之重叠掩罩,用于在该基板之一选择面积上方蒸气沈积第一有机EL中介层;图16A系形成在一阴极连接器上方之阴极连接器遮蔽结构之放大剖视图,及显示于垂直该基板之方向中入射之第一(有机EL)及第二(阴极)蒸气沈积,以在其上方形成一有机EL中介层及一阴极:及图16B描述图16A之剖视图,及显示第三辅助金属蒸气沈积,以在该阴极上方形成辅助金属层及与该阴极连接器电接触。图17-20概要地显示制造一主动矩阵有机电致发光(EL)装置之特点,其中图17系显示复数可定址薄膜电晶体(thin-film-transistor,下文简称TFT)有机EL像素之概要电路图,其中每一TFT像素具有一相关透光阳极及一分享或共用阴极;图18系一基板之平面图,其具有复数隔开TFT像素、整合之x及y驱动电路、及一具有形成在其上方之复数阴极连接器遮蔽结构之阴极连接器;图19系该主动式矩阵有机EL装置之平面图,其中一有机EL中介层及一阴极已于界定在一掩罩之沈积区中形成在图18基板之上方;及图20系取自图19沿着剖线20-20形成在该阴极连接器上方之阴极连接器遮蔽结构之剖视图,及显示第一(有机EL)及第二(阴极)蒸气沈积以形成一有机EL中介层及在每一遮蔽结构形成一与该阴极连接器电接触之阴极。 |
