| 主权项 |
1.一种半导体元件的结构,该结构至少包括:一基底;一源/汲极,设置于该基底之中;一闸极结构,设置于该源/汲极之间之该基底上,并且延伸覆盖部分之该源/汲极;一通道区,设置于该闸极结构下方之该基底中;以及一绝缘间隙壁,设置于该通道区下方之该基底与该源/汲极之间。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的结构,其中该闸极结构包括一闸极、一闸介电层以及一间隙壁。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的结构,其中该闸极结构的宽度大于位于该绝缘间隙壁的上部的该源/汲极之间的宽度。4.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的结构,其中该闸介电层设置于该闸极以及该基底之间,且该闸介电层延伸覆盖部分之该源/汲极。5.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的结构,其中更包括于该闸极以及该源/汲极上设置自行对准金属矽化物层。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的结构,其中该绝缘间隙壁的材质至少包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的结构,其中该绝缘间隙壁系以该通道区与该闸极结构区隔,以使该绝缘间隙壁不与该闸极结构接触。8.一种半导体元件的制造方法,该方法包括:于一基底中形成一沟渠;于该沟渠的侧壁形成一绝缘间隙壁;于该沟渠中形成一第一磊晶层;于该第一磊晶层中形成一源/汲极掺杂区;于该基底与该第一磊晶层上形成一第二磊晶层;于该第二磊晶层上形成一闸极;以该闸极为罩幕,进行一离子植入步骤,以于该第二磊晶层中形成一延伸掺杂区;以及进行一快速热回火步骤,以使该源/汲极掺杂区以及该延伸掺杂区形成一源/汲极。9.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中该绝缘间隙壁的材质至少包括氧化矽。10.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该绝缘间隙壁的方法包括下列步骤:于该沟渠中形成一绝缘层;以及回蚀该绝缘层,以形成该绝缘间隙壁。11.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该绝缘层的方法包括热氧化法。12.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该第一磊晶层的方法包括以低压化学气相沈积法所施行的选择性磊晶成长法。13.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该第二磊晶层的方法包括以低压化学气相沈积法所施行的选择性磊晶成长法。14.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中于形成该第二磊晶层后更包括一起始电压调整植入步骤。15.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中位于该闸极下方与该源/汲极之间的该第二磊晶层形成一通道区。16.如申请专利范围第15项所述之半导体元件的制造方法,其中该闸极结构的宽度大于位于该绝缘间隙壁的上部的该源/汲极之间的宽度。17.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中包括于该闸极以及该源/汲极表面上形成一自行对准金属矽化物层。图式简单说明:第1A图至第1I图所绘示为依据本发明较佳实施例之半导体元件的制造流程的剖面示意图。 |
