在化学机械研磨制程中减少铜表面凹陷的装置和方法

摘要

本发明揭示一种在化学机械研磨制程中减少铜表面凹陷的装置，适用于一镶嵌式钢制程，上述装置包括：一遮阻构件，用以隔离外界光源；一研磨垫(pad)；一研磨平台(polishing platen)，用以承载并旋转研磨垫；以及一研磨头(header)，固持并旋转晶圆，以使晶圆表面与研磨垫接触而进行化学机械研磨制程；以及一清洗装置，用以执行化学机械研磨制程后之清洗。藉此，可减少铜表面凹陷现象，提高生产良率。本发明更揭示一种在化学机械研磨制程中减少铜表面凹陷的方法，适用于一镶嵌式钢制程，其主要是利用一遮阻构件将化学机械研磨装置及清洗装置之外界光源完全隔离，以进行化学机械研磨及清洗制程，并避免光源促使酸性电解液中的电化学反应，进而降低铜产生氧化还原反应，减少铜表面的凹陷现象发生。

主权项

1.一种在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的装置,包括:一遮阻构件,用以完全隔离外界光源;一研磨垫,设置于上述遮阻构件中;一研磨平台,设置于上述遮阻构件中,用以承载并旋转上述研磨垫;以及一研磨头,设置于上述遮阻构件中,固持并旋转一晶圆,致使上述晶圆表面与上述研磨垫接触而进行上述化学机械研磨制程。2.如申请专利范围第1项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的装置,其中上述之遮阻构件更内含一清洗装置,用以执行上述化学机械研磨制程后之清洗。3.如申请专利范围第1项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的装置,系用以对上述晶圆表面进行上述化学机械研磨制程。4.如申请专利范围第1项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的装置,上述遮阻构件系一罩幕。5.如申请专利范围第1项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的装置,上述遮阻构件系一不透光胶膜。6.一种在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的方法,包括下列步骤:(a)将一化学机械研磨装置及一清洗装置设置于一遮阻构件中,用以完全隔离外界光源;以及(b)对一晶圆进行化学机械研磨及清洗制程。7.如申请专利范围第6项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的方法,其中该步骤(a)系将上述化学机械研磨装置及清洗装置设置于由一罩幕构成之遮阻构件中。8.如申请专利范围第6项所述之在化学机械研磨制程中减少铜凹陷的方法,其中上述步骤(a)系将上述化学机械研磨装置及清洗装置设置于由一不透光胶膜构成之遮阻构件中。图式简单说明:第1图为习知化学机械研磨装置之剖面示意图。第2图为本发明之较佳实施例中,化学机械研磨装置及清洗装置之剖面示意图。