| 主权项 |
1.一种形成间隙壁的方法,适用于一形成有隔离区之半导体基底,包括下列步骤:于该半导体基底上形成一闸极、一汲极及一源极;在该闸极及该半导体基底上依序形成一垫层及一第一绝缘层;蚀刻该第一绝缘层至完全清除沉积于该隔离区边缘之该第一绝缘层,以形成一第一间隙壁;形成一第二绝缘层于该垫层及该第一间隙壁上;及蚀刻该第二绝缘层至完全清除沉积于该隔离区边缘之该第二绝缘层,以形成一顶角间隙壁及一第二间隙壁,其中该第一间隙壁与第二间隙壁构成一双层间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中更包括一去除该露出表面之垫层之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该垫层为介电层。4.如申请专利范围第3项所述之形成间隙壁的方法,其中该垫层为二氧化矽。5.如申请专利范围第3项所述之形成间隙壁的方法,其中该垫层为二氧化铪。6.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该顶角间隙壁形成于该第一间隙壁上方。7.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二间隙壁形成于该第一间隙壁周围。8.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该第一绝缘层之材质不同于该垫层。9.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二绝缘层之材质不同于该垫层。10.如申请专利范围第8项所述之形成间隙壁的方法,其中该第一绝缘层的材料为氮化矽。11.如申请专利范围第8项所述之形成间隙壁的方法,其中该第一绝缘层的材料为氮氧化矽。12.如申请专利范围第9项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二绝缘层的材料为氮化矽。13.如申请专利范围第9项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二绝缘层的材料为氮氧化矽。14.如申请专利范围第9项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二绝缘层的材料为二氧化矽。15.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该第二绝缘层、该顶角间隙壁及该第二间隙壁之厚度小于该第一绝缘层之厚度。图式简单说明:第1(a)-1(c)图系习知之形成间隙壁的方法之剖面示意图。第2(a)-2(d)图系本发明之形成间隙壁的方法之剖面示意图。 |
