| 主权项 |
1.一种测试一MOS电晶体中一闸极介电层完整状态的方法,该方法包括下列步骤:进行一道设计的电压上升步骤;进行一筛选步骤,以侦测一缺陷的闸极介电层;以及侦测该闸极介电层的完整状态。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电压上升范围由0-10伏特。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电压上升步骤的时间为5秒。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电压上升步骤期间,量测与纪录与一急昇电压相关之闸极电流密度(Ji)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该筛选步骤包括侦测与一操作电压Vcc相关之闸极电流密度。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该操作电压Vcc表示在一特定半导体元件之实际操作电压。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该筛选步骤包括丢弃无法符合一特定闸极电流标准(Jc)的闸极介电层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该决定闸极介电层完整状态之步骤包括计算微分的闸极电流密度比例(R),并绘示出微分闸极电流密度比例(R)对电压的图表,以决定闸极介电层的完整状态,其中R=Jg/Jg,Jg=Ji-Ji-1,Ji-1<Ji且Jg=Ji。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该决定闸极介电层完整状态之步骤包括侦测当微分闸极电流比例(R)低于或等于或大于一特定闸极电流密度比例标准(Rc)之电压,其中假如R値等于或大于该特定Rc値标准,闸极介电层会被认为是弯曲的,而假如R値少于Rc标准时,则闸极介电层会被认为是坚固的。10.一种决定一电晶体之一介电层完整状态之方法,该方法包括下列步骤:进行一计划电压急昇步骤;进行一筛选步骤,以侦测一缺陷之闸极介电层;以及侦测一闸极介电层之完整性,其中该步骤包括计算微分的闸极电流密度比例(R),并绘示出微分闸极电流密度比例(R)对电压的图表,以决定闸极介电层的完整状态,其中R=Jg/Jg,Jg=Ji-Ji-l,Ji-1<Ji且Jg=Ji。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该电压急昇范围由0-10伏特。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该电压急昇步骤之时间为5秒。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中在该电压急昇步骤期间,量测与纪录在一连续的急昇电压之相关闸极电流密度(Ji)。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该筛选步骤包括在一操作电压Vcc下侦测一相关闸极电流密度。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该操作电压Vcc表示在一特定半导体元件之真实操作电压。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该筛选步骤包括无法符合一特定闸极电流标准(Jc)的闸极介电层。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该决定闸极介电层完整状态之步骤包括侦测当微分闸极电流比例(R)低于或等于或大于一特定闸极电流密度比例标准(Rc)之电压,其中假如R値等于或大于该特定Rc値标准,闸极介电层会被认为是弯曲的,而假如R値少于Rc标准时,则闸极介电层会被认为是坚固的。图式简单说明:第1图绘示为在一个NFET电晶体之闸极电压函数,也就是闸极介电层时间与崩溃的对数关系图;第2图绘示为根据本发明一较佳实施例的一种NFET电晶体施压状态简示图;第3图绘示为根据本发明一较佳实施例,使用之闸极氧化层厚度为16埃的情况下,在急增电压Vg与闸极电流Jg之对数关系图;以及第4图绘示为根据本发明一较佳实施例之微分电流比例R=Jg/Jg%与电压Vg的关系图。 |
