| 主权项 |
1.一种在表面上产生细微粗糙之方法,其特征为在一步骤中直接在表面(2)上由制程气体(P)形成细致分布之半导体晶粒(1)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中此半导体晶粒(1)是矽(Si)或锗(Ge)晶粒,并且制程气体(P)具有SiH4或GeH4。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此半导体晶粒(1)之形成是在500℃至600℃之温度范围中实施。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此半导体晶粒(1)之形成是在100至600毫托耳(mTorr)的压力中实施。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此半导体晶粒(1)之形成是在5至60分钟的期间实施。6.如申请专利范围第1项之方法,其中此表面(2)是氧化物-、氮化物-、或矽-基板。7.如申请专利范围第6项之方法,其中矽基板经历过预先净化。8.如申请专利范围第7项之方法,其中此预先净化具有Piranha净化、RCA净化及/或HF-Dip-净化。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中制程气体(P)具有从1:20至1:0.2范围中之H2-稀释。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中制程气体(P)具有从1:100至1:5范围中之N2-稀释。图式简单说明:第1图是根据本发明具有细微粗糙之表面与深沟渠之电子显微镜照片。第2图是制造炉之简化截面图,其用于实现根据本发明之方法。第3图是在不同沈积时间中之颗粒大小与颗粒距离之图式说明。第4图是取决于沈积温度之颗粒大小与颗粒距离之图式说明。第5图是取决于稀释比例与沈积时间之颗粒大小与颗粒距离之图式说明。第6图是取决于稀释比例,沈积时间与表面特性之颗粒大小与颗粒距离之图式说明。第7图是取决于预先净化之颗粒大小与颗粒距离之图式说明。第8图是根据理想模式取决于相对颗粒距离之表面扩大之图式说明。 |
