| 主权项 |
1.一种侦测薄层厚度之方法,包括下列步骤:(a)照射光至形成在具有特定结构之晶胞的晶圆上的一晶胞,并取得从该晶胞所反射的反射光之亮度値;(b)侦测位于邻近该晶胞之氧化物区域之一薄层的厚度;(c)重复步骤(a)与(b)复数次,以便取得从晶圆上所形成的各个晶胞之复数个亮度値,以及在介于邻近各个晶胞之间的氧化物区域中之薄层的复数个厚度値;(d)使用在步骤(c)所取得之复数个亮度値与复数个厚度値,运用一厚度计算公式以计算该薄层的厚度;及(e)使用在步骤(d)所运用之该厚度计算公式,以得到于晶胞之顶层的计算厚度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a)包括照射白光至该晶胞。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a)包括照射单色光至该晶胞。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a)包括照射由红光与绿光所组成群组之一者至该晶胞。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(a)更包括取得该晶胞所反射光的亮度値之一步骤,其藉由将该反射光分成红光与绿光,并且取得各个分开的光之亮度値。6.一种用以侦测薄层厚度之装置,包括:一光源,用以照射光线至一晶圆,该晶圆具有复数个具有预定较低图案的晶胞,以及位于邻近的晶胞之间的一氧化物区域;一摄影机,用以接收该晶圆之晶胞所反射的光;一亮度测量装置,用以测量从该摄影机所输出之图像信号的亮度値;及一薄层厚度计算装置,使用由该亮度测量装置所取得之亮度値,以计算形成在该等晶胞上之顶层的厚度。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该薄层厚度计算装置系使用复数个晶胞所反射光的亮度値,以及在邻近复数个晶胞之间的氧化物区域的厚度値,以计算形成在该等晶胞上之顶层的厚度。8.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该照射在晶胞的光为白光。9.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该照射在晶胞的光为白光。10.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该照射在晶胞的光为单色光。11.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该照射在晶胞的光为单色光。12.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该照射在晶胞的光系由红光与绿光所组成的群组之一者。13.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该亮度测量装置系将该反射光分成红光与绿光,并且取得各个分开的光之亮度値。图式简单说明:第1图系习用晶圆之平面图;第2图系第1图所示晶圆之局部放大剖视图;第3图系显示在邻近于具有13610之厚度的氧化物区域之晶胞被摄成彩色图像之后,有关各像素强度的各颜色之像素数目的变化图;第4图系显示在邻近于具有13101之厚度的氧化物区域之晶胞被摄成彩色图像之后,有关各像素强度的各颜色之像素数目的变化图;第5图系显示在邻近于具有12654之厚度的氧化物区域之晶胞被摄成彩色图像之后,有关各像素强度的各颜色之像素数目的变化图;第6图系显示由关于邻近氧化物区域薄层厚度的邻近晶胞所反射之光线其各颜色之平均强度的变化图;第7图系一晶圆之平面图,显示取得第6图所示结果的扫描方向;第8图系显示关于在氧化物区域之薄层厚度的邻近晶胞所反射之光线中的红光强度其分布百分比的变化图;第9图系显示关于在氧化物区域之薄层厚度的邻近晶胞所反射之光线中的绿光强度其分布百分比的变化图;及第10图系根据本发明之用以测量薄层厚度之装置的实施例之示意结构图。 |
