| 主权项 |
1.一种电浆加工方法,其包含:藉由引入气体至一真空反应室内以及抽空该真空反应室之内部,以控制该真空反应室(1)的内部到一特定的压力;在一天线之大致为中心之处与该真空反应室彼此间为短路之情况下,供应一具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源至一天线(5.5A、5B、5C、5D、5E)的一个部位,该部位不是该天线的中心以及周围,且该天线于该真空反应室内相对于一基体(7)而设置,同时该真空反应室之内部系被控制至该特定的压力;以及在该真空反应室内产生电浆,及在真空反应室内加工被放置于一基体电极(6)上之该基体。2.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中,藉由一被设置于一介电材料之大致为中心之处的穿孔(12a),一天线与该真空反应室彼此间为短路之情况下,该具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源,系经由一穿孔(12b)被供应至该天线,该孔(12b)被设置于该介电材料的一个部位,该部位不是该介电材料的中心与周围,而该天线设置于该真空反应室内,且一介电材料(12)被夹在该天线与该真空反应室中间。3.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中该具有相同相位之高频率的电源,系被供应至该天线之数个部位,该等部位系围绕该天线之中心且大致以相等距离隔开,以便更确实获得电浆的均一性。4.一种电浆加工方法,其包括:藉由引入气体至一真空反应室内以及抽空该真空反应室之内部,控制该真空反应室(1)之内部至一特定的压力;在一天线的一个部位与该真空反应室彼此间为短路,且该部位并非该天线的中心以及周围的情况下,供应一具有50MHz至3GHz频率之高频率电源至该天线(5)之大致为中心之处,而该天线于该真空反应室内相对于一基体(7)而设置,同时该真空反应室之内部系被控制到该特定的压力;以及在该真空反应室内产生电浆以及在真空反应室内加工被放置于一基体电极(6)上之基体。5.如申请专利范围第4项之电浆加工方法,其中,该天线设置于该真空反应室内,且一介电材料(12)被夹在该天线与该真空反应室中间,一穿孔(12c)被设置于一介电材料之一部位,且该部位并非该介电材料之中心及周围,经由该穿孔(12c),该天线与该真空反应室彼此间为短路之情况下,该高频率的电源系经由一穿孔(12d)被供应至该天线,该孔(12d)被设置于该介电材料大致为中心之处。6.如申请专利范围第4项之电浆加工方法,其中,在该天线之数个部位与该真空反应室彼此间为短路,该等部位并非该天线之中心及周围,且系围绕该天线之中心以大致相争之距离隔开,该具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源,系被供应至该天线之大致为中心之处,以便更确实获得电浆的均一性。7.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中该具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源系被供应至该天线,该天线具有一表面,该表面为一绝缘的遮盖物(13)覆盖。8.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中当该基体上之电浆分配,受控于设置于该天线与该真空反应室间之一环状与嵌壁式的电浆陷阱(14)时,加工该基体。9.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中该具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源系被供应至该天线,同时,在一模式中之一电流为数个狭长孔(15.15A、15B、15C)所阻断,于该模式中电流非对称于该天线中心流动,而该等狭长孔(15.15A、15B、15C)从该天线之周围朝向中心设置。10.如申请专利范围第1项之电浆加工方法,其中当该真空反应室内无DC磁场存在时,于该真空反应室内产生该电浆并加工该基体。11.一种电浆加工方法,其包括:藉由引入气体至一真空反应室内以及抽空该真空反应室之内部,控制该真空反应室(1)之的内部至一特定的压力;在天线的面积系小于基体之面积的情况下,供应一具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源至一天线(5.5A、5B、5C、5D、5E),且该天线于该真空反应室内相对于一基体(7)而设置,同时该真空反应室之内部系被控制至该特定压力;以及在该真空反应室内产生电浆以及在真空反应室内加工被放置于一基体电极(6)上之基体。12.一种电浆加工装置,其包括:一真空反应室(1);一气体供应装置(2),其用以供应气体至该真空反应室内;一抽气装置(3),其用以抽空该真空反应室内部;一基体电极(6),其用以在该真空反应室将一基体(7)放置在该基体电极(6)上;一天线(5.5A、5B、5C、5D、5E),其相对于该基体电极而设置;以及一高频率的电源供应器(4),其用以供应具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源至该天线,其中该天线之大致为中心之处与该真空反应室彼此间为短路,且该高频率的电源系被供应至该天线之一个部位,该部位并非该天线之中心以及周围。13.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其进一步包括一被夹在该天线与该真空反应室中间的介电材料(12),其中该天线设于该真空反应室内部,经由一穿孔(12b),该天线与该真空反应室系而彼此间为短路,该穿孔(12b)被设置于介电材料之大致为中心之处,且该高频率的电源系藉由一穿孔(12a)被供应至该天线,该穿孔(12a)被设置于该介电材料的一个部位,而该部位非该介电材料的中心与周围。14.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该高频率的电源系被供应至该天线之数个部位,被供应有该高频率的电源之该等部位,系环绕该天线的中心并以相等之距离隔开,且该具有相同相位之高频率的电源,系被供应至要被供应有该高频率的电源之各个部位。15.如申请专利范围第13项之电浆加工装置,其中该天线的尺寸、该介电材料之介电常数以及使该天线与该真空反应室彼此间为短路之导体的厚度,以可给予该天线TM01模式之电磁分配之方式设计。16.一种电浆加工装置,其包括:一真空反应室(1);一气体供应装置(2),其用以供应气体至该真空反应室内;一抽气装置(3),其用以抽空该真空反应室内部;一基体电极(6),其用以在该真空反应室内放置一基体(7)于该基体电极(6)上;一天线(5.5A、5B、5C、5D、5E),其相对于该基体电极设置;以及一高频率的电源供应器(4),其用以供应具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源至该天线,其中该天线之一个部位与该真空反应室彼此间为短路,该部位并非天线之中心以及周围,且该高频率的电源系被供应至该天线之大致为中心之处。17.如申请专利范围第16项之电浆加工装置,其进一步包括一被夹在该天线与该真空反应室中间的介电材料(12),其中该天线设于真空反应室内部,该高频率的电源系藉由一穿孔(12d)被供应至该天线,该穿孔(12d)被设置于该介电材料之大致为中心之处,且经由一穿孔(12c),该天线与该真空反应室彼此间为短路,该穿孔(12c)被设置于该介电材料的一个部位,且该部位并非该介电材料的中心与周围。18.如申请专利范围第16项之电浆加工装置,其中该真空反应室在该天线之数个部位为短路的,真空反应室于该天线之是要为短路的该等部位,大致上围绕在该天线之中心且以相等之距离隔开。19.如申请专利范围第17项之电浆加工装置,其中该天线的尺寸、该介电材料之介电常数以及将该高频率电源供应至该天线之导体厚度,以可给予该天线TM01模式之电磁分配之方式设计。20.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该天线之表面为一绝缘的遮盖物(13)所覆盖。21.如申请专利范围第12项之装置,其中一环状的与嵌壁式的电浆陷阱(14)系被设置于该天线与该真空反应室之间。22.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该天线(5D)系被形成为一远离该基体之外凸的圆盖形。23.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该天线(5E)系被形成为一朝向该基体之外凸的圆盖形。24.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该狭长孔(15.15A、15B、15C)以从该天线之周围朝向中心之方式设置。25.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中既未设置一线圈,也未设置一永久磁铁,以施加一DC磁场至该真空反应室内。26.如申请专利范围第12项之电浆加工装置,其中该天线系呈平板形状。27.一种电浆加工装置,其包括:一真空反应室(1);一气体供应装置(2),其用以供应气体至该真空反应室内;一抽气装置(3),其用以抽空该真空反应室内部;一基体电极(6),其放置于在该真空反应室内之一基体(7)上;一天线(5.5A、5B、5C、5D、5E),其相对于该基体电极设置;以及一高频率的电源供应器(4),其用以供应一具有50MHz至3GHz频率之高频率的电源至该天线,其中该天线的面积系小于该基体的面积。图式简单说明:第1图为一显示一被应用于本发明第一个实施例之电浆加工装置构造之截面图;第2图为一被应用于本发明第一个实施例之天线的平面图;第3图为一显示一TM01模式的电磁分配之平面图;第4图为一显示在本发明第一个实施例中离子饱和电流密度之测量结果的图表;第5图为一被应用于本发明第二个实施例之电浆加工装置构造之截面图;第6图为一被应用于本发明第三个实施例之电浆加工装置构造之截面图;第7图为一被应用于本发明第四个实施例之电浆加工装置构造之截面图;第8图为一被应用于本发明第五个实施例之电浆加工装置构造之截面图;第9图为一被应用于本发明第六个实施例之天线的平面图;第10图为一被应用于习知技术例示中之电浆加工装置构造之截面图;第11图为一显示在习知技术例示中离子饱和电流密度之测量结果的图表;第12图为一被应用于本发明第六个实施例的第一种变型之天线的平面图;第13图为一被应用于本发明第六个实施例之第二种变型之天线的平面图;以及第14图为一被应用于本发明第六个实施例之第三种变型之天线的平面图。 |
