| 主权项 |
1.一种相位遮罩,其在微影术过程中用来对一种光敏层进行曝光以便使用透明区所形成之预设之图样来制造积体电路,其特征为:在这些区(3)中(其中相邻之透明区之间之距离在至少一个空间方向中小于一种预设之极限距离)此相位遮罩是以交替式相位遮罩构成;在区域(4)中(其中相邻透明区之间之距离大于该极限距离)此相位遮罩是以半黏土-相位遮罩或无铬之相位遮罩构成。2.如申请专利范围第1项之相位遮罩,其中此相位遮罩在不透明之周边阵列中具有透明区,其中各相位遮罩在此种区域中(其中相邻透明区之间之距离小于极限距离)是以交替式相位遮罩构成;在此种区域中(其中相邻透明区之间之距离大于该极限距离)此相位遮罩是以半黏土-相位遮罩构成。3.如申请专利范围第1项之相位遮罩,其中此相位遮罩在透明之周边阵列中具有透明区,各相位遮罩在此种区域中(其中相邻透明区之间之距离小于极限距离)是以交替式相位遮罩构成;在此种区域中(其中相邻透明区之间之距离大于该极限距离)此相位遮罩是以无铬之相位遮罩构成。4.如申请专利范围第1,2或3项之相位遮罩,其中该极限距离最大等于/NA,其中是微影术过程中所使用之射束之波长,NA是射束用之成像系统之孔径値。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之相位遮罩,其中透明区是以接触视窗(2,2',2")构成。6.如申请专利范围第5项之相位遮罩,其中在此种以交替式相位遮罩构成之区(3)中接触视窗(2,2')间之距离小于接触链间之极限距离。7.如申请专利范围第1或第2项之相位遮罩,其中这些以半黏土-相位遮罩构成之区域(4)具有半透明之相位移动用之吸收层(7)。8.如申请专利范围第7项之相位遮罩,其中在微影术过程中所进行之半黏土-相位遮罩之曝光过程中各光束在通过该吸收层(7)时相位会提高180。9.如申请专利范围第7项之相位遮罩,其中该吸收层(7)由MoSi构成。10.如申请专利范围第5项之相位遮罩,其中各接触视窗(2")在此种由半黏土-相位遮罩所构成之区域(4)中由吸收层(7)中之孔所形成。11.如申请专利范围第7项之相位遮罩,其中在吸收层(7)上在至少二个接触视窗(2")之间施加暗图或次(sub)解析结构,这些接触视窗(2")之间之距离等于该接触视窗(2")成像时所形成之空气图像之第一级绕射最大値之直径。12.如申请专利范围第10项之相位遮罩,其中在吸收层(7)上在至少二个接触视窗(2")之间施加暗图或次(sub)解析结构,这些接触视窗(2")之间之距离等于该接触视窗(2")成像时所形成之空气图像之第一级绕射最大値之直径。13.如申请专利范围第11项之相位遮罩,其中该暗图由铬-平面区段(8)所形成。14.如申请专利范围第7项之相位遮罩,其中该吸收层(7)施加在玻璃板(9)上。15.如申请专利范围第11项之相位遮罩,其中该吸收层(7)施加在玻璃板(9)上。16.如申请专利范围第1至3项中任一项之相位遮罩,其中该以交替式相位遮罩构成之区域(3)具有一些不透明区,其由铬层(6)所形成。17.如申请专利范围第16项之相位遮罩,其中形成该不透明区所用之铬层(6)施加在吸收层(7)上。18.如申请专利范围第17项之相位遮罩,其中该铬层(6)以光学方式涂布一种氧化铬层。19.如申请专利范围第16项之相位遮罩,其中在形成各接触视窗(2,2',2")所用之区域中各铬层(6)之间之吸收层(7)被去除。20.如申请专利范围第16项之相位遮罩,其中在这些以交替式相位遮罩构成之区域(3)中在光束通过相邻之接触视窗(2,2')时在接触视窗(2)中不对玻璃板(9)进行蚀刻,在相邻之接触视窗(2')中对该玻璃板(9)进行蚀刻,以此种方式而产生180之相位差。21.如申请专利范围第1至3项中任一项之相位遮罩,其中此相位遮罩施加一种高相参之光束。22.如申请专利范围第1至3项中任一项之相位遮罩,其中此相位遮罩施加一种波长150nm至380nm之雷射光束。图式简单说明:第1图本发明之相位遮罩之实施例,其具有以交替式相位遮罩或半黏土-相位遮罩构成之区域。第2图在第1图之相位遮罩中以交替式相位遮罩构成之区域。第3图在第1图之相位遮罩中以半黏土-相位遮罩构成之区域。第4图是第1图之相位遮罩之一部份之横切面。 |
