| 主权项 |
1.一种用以镀覆及研磨半导体物件的表面的装置,其包括:一第一腔,其具有一用以镀覆物件表面的镀覆装置;一第二腔,其具有一用以研磨物件表面的研磨装置;以及一隔板,其将该第一腔与该第二腔分隔。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该镀覆装置包括一垫衔接于一柱状阳极上。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该柱状阳极可绕一第一轴旋转。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该镀覆装置包括一阳极板衔接于邻近该第一腔之底面处。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该研磨装置包括一垫衔接于一柱状阳极上。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该柱状阳极可绕一第一轴旋转。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该研磨装置包括一化学机械研磨装置。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该化学机械研磨装置包括一垫衔接于一柱状滚筒上。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该柱状滚筒可绕一第一轴旋转。10.如申请专利范围第1项之装置,其更包括一电解液置于该第一与第二腔中。11.如申请专利范围第1项之装置,其更包括一物件支撑,其可在镀覆及研磨时支持物件,其中该物件支撑可绕一第二轴及可从一边移至另一边。12.如申请专利范围第1项之装置,其中该物件包括一晶圆、一平面显示器及一磁带头。13.一种用以镀覆及研磨半导体物件的表面的方法,该方法包括以下步骤:利用一置于物件表面上的电解液镀覆一导电材料至一半导体物件表面上,该物件置于邻近一阳极处;在不进行镀覆时研磨该物件表面达至少特定几次。14.如申请专利范围第13项的方法,其中该镀覆步骤系于一第一腔中进行而该研磨步骤系于一第二腔中进行。15.如申请专利范围第14项的方法,其中该第一腔与该第二腔以一隔板隔开。16.如申请专利范围第13项的方法,其中该镀覆步骤系利用刷镀与电化学机械沉积中之一方法进行。17.如申请专利范围第13项的方法,其中该研磨步骤系利用电研磨与化学机械研磨中之一方法进行。18.如申请专利范围第13项的方法,其中该镀覆步骤系在研磨步骤前进行。19.如申请专利范围第13项的方法,其中该物件包括一晶圆、一平面显示器及一磁带头。20.一种用于镀覆与研磨一半导体物件之垫总成,包括:一具有外表面之柱状阳极;及数条垫束衔接于该柱状阳极以使该数条垫束自该柱状阳极的外表面凸出。21.如申请专利范围第20项之垫总成,其中该柱状阳极可绕一第一轴旋转。22.如申请专利范围第20项之垫总成,其中该镀覆在垫束不与该物件接触下进行,且研磨系在该垫束与该物件接触下进行。23.如申请专利范围第20项的垫总成,其中该物件包括一晶圆、一平面显示器及一磁带头。24.一种用于镀覆与研磨一半导体物件之垫总成,包括:一具有上表面之环形或甜甜圈形阳极;及数条垫束衔接于该阳极之上表面以使该数条垫束自该阳极的上表面凸出。25.如申请专利范围第24项之垫总成,其中该阳极可绕一第一轴旋转。26.如申请专利范围第24项之垫总成,其中该镀覆在垫束不与该物件接触下进行,且研磨系在该垫束与该物件接触下进行。27.如申请专利范围第24项之垫总成,其中该物件包括一晶圆、一平面显示器及一磁带头。28.一种自电解液沉积一导电材料至一物件之预定区域的方法,包括以下步骤:利用一置于物件表面上的电解液间歇施加一导电材料至一半导体物件表面上,该物件置于邻近一阳极处;在不进行间歇施加时研磨该物件表面达至少特定几次。29.如申请专利范围第28项的方法,其中该物件包括一晶圆、一平面显示器及一磁带头。30.一种用于镀覆一半导体物件之阳极总成,包括:一具有外表面之阳极;及数条垫束或固定物衔接于该阳极上以使该数条垫束自该阳极的外表面凸出。31.如申请专利范围第30项之阳极总成,其中该阳极可绕一第一轴旋转。32.如申请专利范围第30项之阳极总成,其中该镀覆在该垫束或固定物不与该物件接触下进行。33.如申请专利范围第32项的阳极总成,其中该垫束或固定物距离该物件0-5厘米内。34.一种自电解液镀覆一导电材料至一物件表面的方法,包括以下步骤:连续施加该电解液于该物件表面上,该电解液利用绕一第一轴旋转之阳极在该阳极与该物件间产生一封闭电流时施加至该表面上;及提供一电动势于该阳极与该物件间。35.如申请专利范围第34项的方法,其中该阳极包括一具有数条垫束或固定物附接其上之外表面。36.如申请专利范围第35项的方法,其中该连续施加步骤更包括利用数条垫束或固定物喷溅或搅动靠近表面之电解液。37.如申请专利范围第35项的方法,其中该数条垫束或固定物十分邻近该物件之表面。38.一种自电解液沉积一导电材料至一具有种基层沉积其上的物件预定区域之方法,包括以下步骤:利用一置于物件表面上的电解液施加该导电材料至该物件之种基层上,该物件置于邻近一阳极处;在进行施加时研磨该物件表面达至少特定几次,以改变所施加之导电材料的材质。39.如申请专利范围第38项之方法,其中所施加之导电材料的材质变得更为不规则。图式简单说明:第1图说明一根据本发明要填以导电物之代表性介层洞;第2图说明本发明之第一较佳实施例的透视图;第3图说明本发明之第一较佳实施例的截面图;第4图说明本发明之第二较佳实施例的透视图;第5图说明本发明之第二较佳实施例的截面图;第6图说明根据本发明之较佳实施例中一第一新式阳极总成透视图;第7图说明根据本发明之较佳实施例中一第一新式阳极总成截面图;第8图说明根据本发明之较佳实施例中一第二新式阳极总成透视图;第9图说明根据本发明之较佳实施例中一第二新式阳极总成截面图;第10图说明根据本发明之较佳实施例中「接近电镀」之装置与方法的截面图;第11图说明一具有数层与晶粒沉积其上的基材截面图;第12A-12B图说明根据本发明之较佳实施例中有利地影响导电材料构造之方法截面图。 |
