| 主权项 |
1.一种影像感测器,包括: (a)一透明基底; (b)一第一介电层,形成在上述基底上; (c)一下层电极,间隔排置在上述第一介电层上; (d)一图案化的半导体层,形成在上述第一介电层上 ,以与上述各自的下层电极重叠; (e)一透明上层电极,形成在上述半导体层上,以与 上述各自的下层电极重叠; (f)一第二介电层,用以覆盖上述上层电极、上述半 导体层及上述下层电极;以及 (g)一图案化的信号线,形成在上述第二介电层上; 上述信号线藉由上述第二介电层的接触窗而共同 与位于上述半导体层重叠部的上述各自的上层电 极作电性连接; 其中上述图案化的半导体层具有岛状画素部来界 定上述感测器的画素区域,以经由上述上层电极、 与上述信号线层重叠的重叠部,以及与具有一对应 的上述重叠部之一的每一上述画素区域互联之互 联部来接收入射光; 以及其中每一上述上层电极、一对应的上述半导 体层的上述画素之一及一对应的上述下层电极之 一构成一光电二极体。2.如申请专利范围第1项之 感测器,更包括一图案化的光遮蔽层形成于上述半 导体层及上述基底之间; 其中上述光遮蔽层用以防止光经由上述基底进入 而到达上述半导体层。3.如申请专利范围第2项之 感测器,其中上述光遮蔽层遮蔽经由上述基底进入 的光而不进入上述半导体层的互联部与重叠部。4 .如申请专利范围第2项之感测器,其中形成的上述 光遮蔽层与上述半导体层的互联部及重叠部整个 重叠。5.如申请专利范围第2项之感测器,其中上述 光遮蔽层与上述上层电极共同电性连接。6.如申 请专利范围第1项之感测器,其中更包括一图案化 的光遮蔽层形成于上述半导体层及上述基底之间; 其中上述光遮蔽层用以防止在上述半导体层的互 联部内产生的一多余载子而扩散至上述半导体层 的画素部,上述多余的载子系藉由经过上述基底进 入的光的吸收而产生于上述半导体层互联部内。7 .如申请专利范围第6项之感测器,其中上述光遮蔽 层的宽度等于上述多余载子的扩散长度及上述光 遮蔽层与上述各自的下层电极的一重叠区域宽度 总和。8.如申请专利范围第6项之感测器,其中上述 光遮蔽层与上述上层电极共同电性连接。9.如申 请专利范围第1项之感测器,其中更包括一第一图 案化光遮蔽层形成于上述半导体层与上述第一中 间层介电层之间,及一第二图案化光遮蔽层形成于 上述第一中间层介电层与上述基底之间; 其中上述第一光遮蔽层藉由间隙而与上述各自的 下层电极分离且设置上述第二光遮蔽层以覆盖上 述间隙; 以及其中上述第一及第二光遮蔽层共同来防止光 经由上述基底进入而到达上述半导体层的重叠与 互联部。10.如申请专利范围第9项之感测器,其中 设置的上述第二光遮蔽层与上述第一光遮蔽层及 上述各自的下层电极重叠。11.如申请专利范围第9 项之感测器,其中上述第一及第二光遮蔽层与上述 上层电极共同电性连接。12.一种影像感测器的制 造方法,包括下列步骤: (a)在一透明基底上形成一第一介电层; (b)在上述第一介电层上间隔排置下层电极; (c)在上述第一介电层上形成一图案化的半导体层 以与上述各自的下层电极重叠; (d)在上述半导体层上形成透明上层电极以与上述 各自的下层电极重叠; (e)形成一第二介电层以覆盖上述上层电极、上述 半导体层及上述下层电极;以及 (f)藉由上述第二介电层的接触窗使上述信号线层 与位于上述半导体层重叠部的上述各自的上层电 极共同电性连接而在上述第二介电层上形成一图 案化的信号线; 其中于步骤(c)中,形成图案化半导体层以具有岛状 画素部来界定上述感测器的画素区域,以经由上述 上层电极、与上述信号线层重叠的重叠部,以及与 具有一对应的上述重叠部之一的每一上述画素区 域互联之互联部来接收入射光; 以及其中每一上述上层电极、一对应的上述半导 体层的上述画素之一及一对应的上述下层电极之 一构成一光电二极体。13.如申请专利范围第12项 之方法,更包括一图案化的光遮蔽层形成于上述半 导体层及上述基底之间的步骤; 其中上述光遮蔽层用以防止光经由上述基底进入 而到达上述半导体层。14.如申请专利范围第13项 之方法,其中形成的上述光遮蔽层遮蔽经由上述基 底进入的光而不进入上述半导体层的互联部与重 叠部。15.如申请专利范围第13项之方法,其中形成 的上述光遮蔽层与上述半导体层的互联部及重叠 部整个重叠。16.如申请专利范围第13项之方法,其 中上述光遮蔽层与上述上层电极共同电性连接。 17.如申请专利范围第12项之方法,其中更包括一图 案化的光遮蔽层形成于上述半导体层及上述基底 之间的步骤; 其中上述光遮蔽层用以防止在上述半导体层的互 联部内产生的一多余载子而扩散至上述半导体层 的画素部,上述多余的载子系藉由经过上述基底进 入的光的吸收而产生于上述半导体层互联部内。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述光遮蔽 层的宽度等于上述多余载子的扩散长度及上述光 遮蔽层与上述各自的下层电极的一重叠区域宽度 总和。19.如申请专利范围第17项之方法,其中上述 光遮蔽层与上述上层电极共同电性连接。20.如申 请专利范围第12项之方法,其中更包括一第一图案 化光遮蔽层形成于上述半导体层与上述第一中间 层介电层之间的步骤; 以及一第二图案化光遮蔽层形成于上述第一中间 层介电层与上述基底之间的步骤; 其中上述第一光遮蔽层藉由间隙而与上述各自的 下层电极分离且设置上述第二光遮蔽层以覆盖上 述间隙; 以及其中上述第一及第二光遮蔽层共同来防止光 经由上述基底进入而到达上述半导体层的重叠与 互联部。21.如申请专利范围第20项之方法,其中设 置上述第二光遮蔽层以与上述第一光遮蔽层及上 述各自的下层电极重叠。22.如申请专利范围第20 项之方法,其中上述第一及第二光遮蔽层与上述上 层电极共同电性连接。图式简单说明: 第1图系绘示出习知影像感测器配置之部分平面示 意图。 第2图系绘示出沿第1图中II-II线的剖面图。 第3图系绘示出沿第1图中III-III线的剖面图。 第4图系绘示出沿第1图中IV-IV线的剖面图。 第5图系绘示出根据本发明第一实施例之影像感测 电路配置之电路图。 第6图系绘示出根据第5图中第一实施例之影像感 测器配置之部分平面示意图。 第7图系绘示出沿第6图中VII-VII线的剖面图。 第8图系绘示出沿第6图中VIII-VIII线的剖面图 第9图系绘示出沿第6图中IX-IX线的剖面图。 第10A到10C图系分别绘示出沿第6图中VII-VII线的部 分剖面示意图,展示出根据第5图中第一实施例之 影像感测器制造方法。 第11A到11C图,系分别绘示出沿第6图中IX-IX线的部分 剖面示意图,展示出根据第5图中第一实施例之影 像感测器制造方法。 第12图系绘示出装配有根据第5图中第一实施例之 影像感测器之影像扫描器剖面示意图。 第13图系绘示出沿第6图中VII-VII线的部分剖面示意 图,展示出根据本发明第二实施例之影像感测器的 配置。 第14图系绘示出沿第6图中VII-VII线的部分剖面示意 图,展示出根据本发明第三实施例之影像感测器的 配置。 第15A及15B图系绘示出沿第6图中VII-VII线的部分剖 面示意图,分别展示出根据第14图中第三实施例之 影像感测器制造方法。 |
