发明名称 半导体装置
摘要 在依次叠层搭载半导体晶片(电子零件)12的复数个绝缘基板101~104所成的半导体装置中,上述叠层的各绝缘基板之中,以最下层的基板为第一绝缘基板101、以其他基板为第二绝缘基板102~104时,配设第二导电性配线112~114俾自其第二绝缘基板的周缘突出,令该第二导电性配线朝各该第二绝缘基板的他面侧弯曲,以导通连接该弯曲的第二导电性配线与比该第二绝缘基板还下一层的绝缘基板上的导电性配线。
申请公布号 TW506114 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW090113593 申请日期 2001.06.05
申请人 新藤电子工业股份有限公司 发明人 田贤造;佐藤浩二
分类号 H01L25/10;H01L25/18 主分类号 H01L25/10
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置,系依次叠层搭载电子零件的复 数个绝缘基板所成,其中 该叠层的各绝缘基板之中,以最下层的基板为第一 绝缘基板、以其他基板为第二绝缘基板时,配设第 二导电性配线俾自其第二绝缘基板的周缘突出,令 该第二导电性配线朝各该第二绝缘基板的他面侧 弯曲,以导通连接该弯曲的第二导电性配线与比该 第二绝缘基板还下一层的绝缘基板上的导电性配 线。2.一种半导体装置,系依次叠层搭载电子零件 的复数个绝缘基板所成,其中 该叠层的各绝缘基板之中,以最下层的基板为第一 绝缘基板、以其他基板为第二绝缘基板时,具备: 第二导电性配线,自其第二绝缘基板的周缘突出, 分别弯曲成预定形状而形成;以及 第一导电性配线,自该第一绝缘基板的周缘突出, 延伸到最上层的绝缘基板而形成,其中导通连接其 第一导电性配线到该第二导电性配线而成。3.一 种半导体装置,系依次叠层搭载电子零件的复数个 绝缘基板所成,其中 该叠层的各绝缘基板之中,以最下层或最上层的基 板为第一绝缘基板、以其他基板为第二绝缘基板 时,具备: 第二导电性配线,自其第二绝缘基板的周缘突出, 分别弯曲成预定形状而形成;以及 第一导电性配线,自该第一绝缘基板的周缘突出, 延伸到最下层的绝缘基板而形成,其中导通连接其 第一导电性配线到该第二导电性配线而成。4.如 申请专利范围第1项、第2项或第3项中任一项所述 之半导体装置,其中分别将该电子零件覆晶安装于 各该绝缘基板的一面上。5.如申请专利范围第1项 、第2项或第3项中任一项所述之半导体装置,其中 将该叠层的复数个绝缘基板载置于搭载于依次相 邻的下层绝缘基板的电子零件上。6.如申请专利 范围第5项所述之半导体装置,其中在该相邻的绝 缘基板与电子零件之间中介黏着剂。7.如申请专 利范围第1项、第2项或第3项中任一项所述之半导 体装置,其中将该第一以及第二导电性配线复数并 排排列于各个该绝缘基板上,并且用以在其第二导 电性配线的前端部,配设捆紮其第二导电性配线的 散开防止构件。8.如申请专利范围第1项、第2项或 第3项中任一项所述之半导体装置,其中于各该绝 缘基板的角部,配设叠层这些绝缘基板时的定位用 突起。9.如申请专利范围第1项、第2项或第3项中 任一项所述之半导体装置,其中令复数并排排列的 该第一以及第二导电性配线之中的端部的导电性 配线比端部以外的导电性配线还宽幅。10.如申请 专利范围第9项所述之半导体装置,其中 在该宽幅的导电性配线形成定位用的定位标记。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中 该定位标记为圆孔。图式简单说明: 图1系依照本发明的半导体装置的略斜视图。 图2系该半导体装置的纵剖面图。 图3系显示自绝缘基板突出的导电性配线被治具折 曲的顺序之略剖面图,(a)为折曲前、(b)为折曲后。 图4系显示在绝缘基板的四角形成突起,并且导电 性配线之中的角部以宽幅形成的绝缘基板之俯视 图。 图5系依照本发明的半导体装置的他例的略斜视图 。 图6系该半导体装置的纵剖面图。 图7系显示其最下层的模组之略斜视图。 图8系显示他例所使用的最上层的模组之略斜视图 。
地址 日本