半导体装置之制法

摘要

一种半导体装置之制法，其包括藉由无电镀覆法在由铜或铜合金所形成之金属配线上形成隔离膜以作为该金属配线的防扩散膜，其中在无电镀覆法中作为触媒之催化金属膜系利用置换镀覆溶液在30℃或更高且低于其沸点之范围的温度下、藉置换镀覆法选择性地形成于金属配线上，且隔离膜系藉无电镀覆法选择性地形成于催化金属膜上。本发明之一目的为利用钯对铜或铜合金所制成之金属配线表面选择性地并均匀地进行触媒活化，以改善利用次磷酸盐作为还原剂之无电镀覆法的镀覆性质及该配线的可靠度。

主权项

1.一种制备半导体装置之方法:其包括藉由无电镀 覆法在由铜或铜合金所形成的金属配线上形成隔 离膜,其中该隔离膜系作为该金属配线之防扩散膜 ,该方法包括步骤: 藉由置换镀覆法利用pH在0.5至2.5的范围及离子化 倾向低于铜之置换镀覆溶液于30℃或更高并低于 其沸点的温度范围下选择性地在该金属配线上形 成该无电镀覆法中作为触媒之催化金属膜;及 藉由无电镀覆法选择性地形成该隔离膜于该催化 金属膜上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中 该催化金属膜系以连续膜的形式形成于该金属配 线上。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该隔 离膜系经由该催化金属膜以连续膜的形式形成于 该金属配线上。图式简单说明: 图1A至1C为显示根据一个本发明较佳具体实例之半 导体装置制造方法的图示截面图。 图2为显示CoWP膜之沈积速率与置换镀覆溶液之温 度间的关系图。 图3A及3B系解释本发明工作之说明图示截面图。