| 主权项 |
1.一种用以沉积一薄膜至一基材之方法,该方法至 少包含步骤: 将一惰性气体通入室中; 将一反应气体通入室中并将一靶材曝露至其中,同 时激励一电浆; 控制反应气体对惰性气体的比例;及 溅射靶材以沉积一膜至该基材上。2.如申请专利 范围第1项所述之方法,其中上述之反应气体为氮 。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之 靶材为钽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中上述之靶材为钽,钛,或钨。5.如申请专利范围第 1项所述之方法,其中上述之反应气体流于处理时 保持不变。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中上述之反应气体流于溅射时被加以变化。7.如 申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之反应 气体流于处理时被终止。8.一种沉积富氮钽层至 基材上之方法,该方法至少包含: 将一惰性气体通入该室中; 将氮通入室中,并将靶材曝露于其中,同时激励一 电浆; 控制氮对惰性气体之比例;及 溅射钽靶材,以沉积一膜至该基材。9.如申请专利 范围第8项所述之方法,其中上述之氮气流于处理 时保持不变。10.如申请专利范围第8项所述之方法 ,其中上述之氮气流于处理时被加以变化。11.如申 请专利范围第8项所述之方法,其中上述之氮气流 系于处理时加以终止。12.如申请专利范围第8项所 述之方法,其中上述之惰性气体为氢。13.如申请专 利范围第8项所述之方法,其中上述之室系于10毫托 耳至60毫托耳之压力下。14.如申请专利范围第8项 所述之方法,其中上述之氮系以8sccm至20sccm之流速 加以通入。15.如申请专利范围第8项所述之方法, 其中上述之处理区系于1千瓦至5千瓦。16.如申请 专利范围第8项所述之方法,其中上述之基材被偏 压于300瓦至500瓦。17.一种用以沉积富氮钽层至基 材上之设备,至少包含: 一处理室; 一钽靶材;及 一电脑系统,连接至该处理室并包含一处理机及一 含程式码之记忆体,其当为该处理机所执行时执行 一方法,该方法包含步骤: 将一惰性气体通入室中; 将氮通入室中并将钽靶材曝露至其中,同时激励一 电浆; 控制该氮对惰性气体之比例;及 溅射钽靶材以沉积一薄膜至该基材上。18.如申请 专利范围第17项所述之设备,其中该氮气流系于处 理时保持不变。19.如申请专利范围第17项所述之 设备,其中该氮气流于处理时被变化。20.如申请专 利范围第17项所述之设备,其中该氮气流于处理时 被终止。图式简单说明: 第1图为一IMP室之剖面图。 第2图为本发明之处理步骤的流程图。 第3图为具有定氮分布之在TaN反应溅镀上之预流N2 之作用图表。 第4图为具有非恒定氮分布之在TaN反应溅镀上之预 流N2之作用图表。 第5图为具有较少变化氮分布之在TaN反应溅镀上之 预流N2之作用图表。 |
