发明名称 形成涂层之方法
摘要 于基材上藉由沈积溶液以形成涂层,此溶液包含具有至少2个Si-H基团之树脂及溶剂,其方式为其中至少5体积%之溶剂于沈积后仍然留在涂层中,接着使此涂层曝露至包含硷性触媒与水之环境中,于足以造成Si-H基团缩合之浓度下,及自此涂层蒸发溶剂,以形成多孔网状组织涂层。本发明之方法特别可用于涂敷低介电常数涂层在电子装置上。
申请公布号 TW505684 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW088118391 申请日期 1999.10.25
申请人 道康宁公司 发明人 久华锺;艾瑞克史考特莫耶;麦可.约翰.史鲍汀
分类号 C09D183/00;H01L21/316 主分类号 C09D183/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种在基材上形成涂层之方法,其包括: 以包含具有至少2个Si-H基团之树脂与溶剂之溶液, 在基材上沈积涂层,其方式为其中至少5体积%之溶 剂于沈积后仍然留在涂层中; 使此涂层曝露至包含硷性触媒与水之环境,其浓度 会造成Si-H基团水解及至少部份缩合;及 自此涂层蒸发溶剂,以形成多孔网状组织涂层。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所形成之多孔 网状组织涂层具有介电常数为1.1至2.4。3.一种涂 层,其系藉由根据申请专利范围第1项之方法制成 。4.一种矽晶圆,其含有藉由根据申请专利范围第1 项之方法制成之涂层。
地址 美国