发明名称 导线架、藉由利用该导线架制造之半导体装置、以及制造该半导体装置之方法
摘要 本发明提供一种导线架,其包括复数个连接条,每一连接条具复数个可变形部分以防止外框架变形。外框架上形成有定位孔。元件负载部分负载有半导体元件,经由连接条连接至外框架。在导线形成期间导线架可免于发生变形,进而微缩半导体装置之尺寸。
申请公布号 TW506141 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW090119367 申请日期 2001.08.08
申请人 电气股份有限公司 发明人 平泽宏希;木村洋之
分类号 H01L31/12;H01L31/18 主分类号 H01L31/12
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种导线架,包括: 一连接条,经由一导线形成部分连接用以负载一半 导体元件之一元件负载部分; 一外部框架,具有复数个定位孔,该连接条连接至 该外部框架;以及 一可变形部分,包括于该连接条中,用以防止该外 部框架形变。2.如申请专利范围第1项所述之导线 架,其中该可变形部分可于导线形成期间发生弯曲 该导线形成部分时产生作用,藉以吸收作用于该连 接条上之应力。3.如申请专利范围第2项所述之导 线架,其中该可变形部分用以吸收向该元件负载部 分拉扯该连接条之一作用力。4.如申请专利范围 第3项所述之导线架,其中该半导体装置包括一光 耦器。5.一种框架,包括用以负载复数个半导体元 件、置于复数个元件负载部分上之复数个导线架, 其中彼此相互定位,每一该等导线架包括: 一连接条,经由该等导线形成部分连接该等元件负 载部分; 一外部框架,具有复数个定位孔,该连接条连接至 该外部框架;以及 一可变形部分,包括于该连接条中,用以防止该外 部框架形变。6.如申请专利范围第5项所述之框架, 其中仅一该等导线架之该等元件负载部分可根据 该等导线形成部分而弯曲。7.如申请专利范围第6 项所述之框架,其中该可变形部分以树脂封装,藉 以形成一抑制应力部分(reinforcing portion),防止在导 线形成后该可变形部分发生变形。8.如申请专利 范围第6项所述之框架,其中当该等导线形成部分 被挤压而区域性地薄化(thinned)或膨胀(extended)时可 被弯曲。9.如申请专利范围第8项所述之框架,其中 该抑制应力部分包括该可变形部分与相连接之该 外部框架。10.如申请专利范围第9项所述之框架, 其中该可变形部分可防止该等定位孔与该等元件 负载部分发生错位,藉以于该等定位孔与该等元件 负载部分间维持一预设定位关系。11.一种半导体 装置,包括负载复数个半导体元件之一对元件负载 部分,其一置于另一元件负载部分之上,且以封装 树脂包装该对元件负载部分,复数导线连接至裸露 于该封装树脂上相对应之一半导体元件,且仅一该 等元件负载部分依据该等导线而被弯曲。12.如申 请专利范围第11项所述之半导体装置,其中该等导 线位于该封装树脂之底部延伸区域中。13.如申请 专利范围第12项所述之半导体装置,其中该半导体 装置包括一光耦器,该光耦器包括相互对应之一发 光元件(light-emitting element)与一感光元件(light- sensing element)。14.如申请专利范围第13项所述之半 导体装置,其中该等导线由形成复数个半导体元件 之一框架中复数个导线形成部分所组成,该框架由 复数个导线架所组成,每一导线架包括: 一连接条,经由一导线形成部分连接该元件负载部 分; 一外部框架,具有复数个定位孔,该连接条连接至 该外部框架;以及 一可变形部分,包括于该连接条中,用以防止该外 部框架形变。15.一种制造半导体装置之方法,利用 一框架,包括下列步骤: 一导线形成步骤,在采用透光树脂之主要封装处理 后弯曲复数个导线形成部分;以及 一封装步骤,在该导线形成步骤后,封装包括于一 导线架之复数个可变形部分。16.如申请专利范围 第15项所述之方法,其中在该导线形成步骤后,该封 装步骤与采用遮光树脂之一次要封装步骤同时执 行。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该 导线形成步骤包括当该等导线形成部分被挤压而 区域性地薄化(thinned)或膨胀(extended)时可被弯曲。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该导线 形成步骤系依据该次要封装步骤中该树脂之底部 厚度。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中 该框架由复数个导线架所组成,每一导线架包括: 一连接条,经由一导线形成部分连接元件负载部分 ; 一外部框架,具有复数个定位孔,该连接条连接至 该外部框架;以及 一可变形部分,包括于该连接条中,用以防止该外 部框架形变。图式简单说明: 第1A至1E图系显示一习知实施例中制造双封装光耦 器之剖面图; 第2图系显示另一习知光耦器之剖面图; 第3A至3C图系显示习知技术制造光耦器之导线架实 体之俯视图; 第4A至4C图系显示本发明导线架实体之俯视图; 第5A至5E、6A与6B、与7A至7C图系显示实施例中利用 导线架制造半导体装置; 第8图系显示实施例中导线架之剖面图; 第9图系显示实施例中抑制应力部分之平面图; 第10图系显示清除毛刺(deburring)所造成影响之俯视 图; 第11图系显示实施例中可变形部分之另一特性; 第12A与12B图以及第13图系显示实施例中仅下压两 导线架其一之特性;以及 第14图系显示与本发明应用相似之W型光耦器之剖 面图。
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