| 主权项 |
1.一种主动矩阵基板,其系包括:电极配线,其系由 扫描电极与信号电极排列成格子状而成者;绝缘膜 ,其系最少是形成在上述电极配线,并且在扫描电 极及/或信号电极上具有开口部者;及金属层,其系 在上述开口部的电极上积层者。2.根据申请专利 范围第1项之主动矩阵基板,其中的上述金属层的 特征在于包含选自镍膜、铜膜、金膜之金属膜者 。3.根据申请专利范围第1项之主动矩阵基板,其中 的上述金属层系以多层膜的形式而形成。4.根据 申请专利范围第1项之主动矩阵基板,其中的扫描 电极及/或信号电极,系包含透明导电氧化膜者。5. 根据申请专利范围第1项之主动矩阵基板,其中的 上述绝缘膜系以SiNx形成者。6.根据申请专利范围 第1项至第5项中任一项之主动矩阵基板中,其中的 上述金属层系以湿式电镀法来形成者。7.一种显 示装置,其系包括:主动矩阵基板及以该主动矩阵 基板驱动之电光学媒体者:其中之主动矩阵基板, 系包括;电极配线,其系由扫描电极与信号电极排 列成格子状而成者;绝缘膜,其系最少是形成在上 述电极配线,并且在扫描电极及/或信号电极上具 有开口部者;及金属层,其系在上述开口部的电极 上积层者。8.根据申请专利范围第7项之显示装置, 其中的上述金属层系包含选自镍膜、铜膜、金膜 之金属膜者。9.根据申请专利范围第7项之显示装 置,其中的上述金属层系以多层膜的形式而形成。 10.根据申请专利范围第7项之显示装置,其中的扫 描电极及/或信号电极,系包含透明导电氧化膜者 。11.根据申请专利范围第7项之显示装置,其中的 上述绝缘膜系以SiNx形成者。12.根据申请专利范围 第7项之显示装置,其中的上述电光学媒体为液晶 者。13.根据申请专利范围第7项至第12项中任一项 之显示装置,其中的上述金属层系以湿式电镀法来 形成者。14.一种摄影装置,其系包括:主动矩阵基 板、及以供主动矩阵基板读取电荷之光导电体者: 其中之主动矩阵基板,系包括:电极配线,其系由扫 描电极与信号电极排列成格子状而成者;绝缘膜, 其系最少是形成在上述电极配线,并且在扫描电极 及/或信号电极上具有开口部者;及金属层,其系在 上述开口部的电极上积层者。15.根据申请专利范 围第14项之摄影装置,其中的上述金属层系包含选 自镍膜、铜膜、金膜之金属膜者。16.根据申请专 利范围第14项之摄影装置,其中的上述金属层系以 多层膜的形式而形成者。17.根据申请专利范围第 14项之摄影装置,其中的扫描电极及/或信号电极, 系包含透明导电氧化膜者。18.根据申请专利范围 第14项之摄影装置,其中的上述绝缘膜系以SiNx形成 者。19.根据申请专利范围第14项之摄影装置,其中 的上述光导电体是以非结晶硒形成者。20.根据申 请专利范围第14项之摄影装置,其中还具有萤光层 者。21.根据申请专利范围第14项至第20项中任一项 之摄影装置,其中的上述金属层系以湿式电镀法来 形成者。22.一种主动矩阵基板的制造方法,其系包 括:电极配线形成步骤,其系将扫描电极与信号电 极排列成格子状来形成者; 绝缘膜形成步骤,其系最少在上述电极配线上,并 且至少在扫描电极及信号电极上的其中一侧具有 开口部来形成; 及金属层形成步骤,其系选择性地形成金属层者。 23.根据申请专利范围第22项之主动矩阵基板的制 造方法,其中包含的一种形成步骤,其系采SiNx形成 绝缘膜者。24.根据申请专利范围第22项之主动矩 阵基板的制造方法,其中包含一种形成步骤,其系 采SiNx形成绝缘膜的同时,以铜来形成上述的金属 层者。25.根据申请专利范围第22项至第24项中任一 项之主动矩阵基板的制造方法,其中系采电气电镀 法来形成上述金属层者。26.根据申请专利范围第 22项至第24项中任一项之主动矩阵基板的制造方法 ,其中系采无电解电镀法来形成上述的金属层者。 图式简单说明: 图1,其系本发明实施形态之一的主动矩阵基板的 主要部份,所示的是某一像素的概略结构之平面图 。 图2(a),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(b),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(c),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(d),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(e),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(f),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图2(g),此一说明图,系根据图1的A-A前头线的截面图 ,说明上述像素的制造工程者。 图3,其系本发明其他实施形态之一的主动矩阵基 板的主要部份,所示的是某一像素的概略结构之平 面图。 图4,其系本发明实施形态中,采用主动矩阵基板的X 光感测器(X光摄像装置),所示的是其概略构造的截 面图。 图5,其系本发明实施形态中,采用主动矩阵基板的 液晶面板(显示装置),所示的是其概略构造的截面 图。 图6(a),其系一般的主动矩阵型的液晶显示器,所示 的是其概略构造的分解斜视图。 图6(b),其系一般的主动矩阵型的液晶显示器,所示 的是其概略构造的等价电路。 图7,其系一般的平面型的X光感测器,所示的是其概 略构造的说明图。 |
