| 主权项 |
1.一种结构评估方法,其包括以下之步骤: 步骤(a),其系以光学评估方法取得半导体装置要素 之物理量的复数个实测値; 步骤(b),其系先假设为形成该要素所需之程序条件 ,然后以计算求出经使用该假设程序条件之程序下 所形成的该要素之结构; 步骤(c),其系计算经以上述光学评估方法评估由上 述步骤(b)所求得该要素之结构时所能得物理量的 复数个测定値之预测値;以及 步骤(d),其系根据该要素之物理量的上述复数个实 测値与上述复数个测定値之预测値,推测该要素之 结构。2.如申请专利范围第1项之结构评估方法,其 中在上述步骤(d),则计算用以评估上述复数个物理 量的实测値与上述复数个测定位之预测値间之差 的数値,并且直至该値成为阈値以下为止继续经由 上述步骤(b)、(c)推测上述要素之结构。3.如申请 专利范围第1项之结构评估方法,其中在上述步骤(b )则使用程序模拟器执行上述计算。4.如申请专利 范围第1项之结构评估方法,其中 预先以使用复数个程序条件之程序形成要素,并以 上述光学评估方法预先求出该要素之结构,且预先 将上述复数个程序条件与经由该程序条件所形成 要素之结构间相关关系予以资料库化后, 在上述步骤(b)则根据上述相关关系以计算求出上 述要素之结构。5.如申请专利范围第1至4项中任一 项之结构评估方法,其中之程序系结晶膜之外延生 长程序。6.如申请专利范围第5项之结构评估方法, 其中之结晶膜系含有复数个元素之结晶膜。7.如 申请专利范围第6项之结构评估方法,其中之结晶 膜系包含含有Si及Ge且带隙系呈倾斜而变化的结构 之结晶膜。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之 结构评估方法,其中之光学评估方法系使用光谱椭 圆计法及光谱反射率测定法中任一种。9.一种半 导体装置之制造方法,包括以下之步骤: 步骤(a),其系对于包含半导体装置的要素之复数个 晶圆中一个评估用晶圆,以光学评估方法取得上述 要素之物理量的复数个实测値; 步骤(b),其系先假设为形成上述评估用晶圆的要素 所需程序条件,然后以计算求出经由使用该假设程 序条件的程序下所形成上述要素之结构; 步骤(c),其系计算以上述光学评估方法评估经由上 述步骤(b)所求得上述要素之结构的物理量的复数 个测定位之预测値; 步骤(d),其系根据上述评估用晶圆的要素之物理量 的复数个实测値与上述复数个测定位之预测値、 推测上述要素之结构;以及 步骤(e),其系上述评估用晶圆之上述要素之推测结 构与上述复数个晶圆之设计结构间之差异若在于 容许范围外时,则在上述复数个晶圆中至少对于上 述评估用晶圆以外之晶圆加以修正上述程序之程 序条件。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之 制造方法,其中之程序系结晶膜之外延生长程序。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中之结晶膜系包含复数个元素之结晶膜。12. 如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法, 其中之结晶膜系包含Si及Ge且带隙系呈倾斜而变化 的结构之结晶膜。13.一种记录媒体,系可供组配于 为以光学评估方法执行半导体装置的要素之特性 评估所使用之电脑,其记录着电脑可读之供电脑执 行的以下之步骤: 步骤(a),其系用于取入上述半导体装置的要素之物 理量的复数个实测値; 步骤(b),其系用于先假设为形成上述评估用晶圆的 要素所需程序条件,然后以计算求出经由使用该假 设程序条件的程序下所形成上述要素之结构; 步骤(c),其系用于计算以上述光学评估方法评估经 由上述步骤(b)所求得上述要素之结构的物理量的 复数个测定値之预测値;以及 步骤(d),其系用于根据上述要素之物理量的复数个 测定位之实测値与上述复数个测定位之预测値,推 测上述要素之结构。14.如申请专利范围第13项之 记录媒体,其中在上述步骤(d)计算用以评估上述复 数个物理量的实测値与上述复数个测定値的预测 値间之差的数値,并且直至该位成为阈値以下为止 继续经由上述步骤(b)、(c)推测上述要素之结构。 图式简单说明: 图1系显示本发明实施形态之样本评估及薄膜制造 程序之管理步骤流程图。 图2系显示经依光谱椭圆计法测定结果所得、 光谱之例子图。 图3(a)~(d)各自系依序显示在倾斜组成SiGe-HBT叠层膜 之经予设计的Ge组成率轮廓,条件偏离时之轮廓,使 用程序模拟器的条件推测用轮廓,经补正后的样本 结构之轮廓。 图4系显示为获得图3(a)所示梯形轮廓结构所需程 序条件。 图5系显示使用程序模拟器的样本结构之推测步骤 流程图。 图6系显示经由程序模拟器推测之Ge组成率的外延 层厚度方向轮廓图。 图7系显示SiGe层的Ge组成率之锗烷流量比依存性图 。 图8系显示SiGe层生长速率之锗烷流量比依存性。 图9系经由本发明人等由具有图6所示Ge组成率轮廓 之叠层膜进行模拟的、之光谱。 图10系显示传统样本评估及薄膜制造程序中之管 理步骤流程图。 图11(a)~(d)各自系依序显示在倾斜组成SiGe-HBT叠层 膜之经予设计的Ge组成率轮廓,条件偏离时之轮廓, 假定为一律结构之传统推测轮廓,经补正后的样本 结构之轮廓。 |
