| 主权项 |
1.一种交错扭转之静电梳式驱动器,包括: 一固定式梳齿组件;及 一移动式梳齿组件,其包含一镜片及一扭转枢纽, 该移动式梳齿组件于一梳式驱动器静止状态期间 完全定位在该固定式梳齿组件上方达一预定垂直 位移。2.如申请专利范围第1项之交错扭转静电梳 式驱动器,其中该镜片系由单晶矽所形成。3.如申 请专利范围第2项之交错扭转静电梳式驱动器,其 中该移动式梳齿组件之个别移动式梳齿系在梳式 驱动器作动状态期间定位于该固定式梳齿组件之 个别固定式梳齿之间,及该镜片在梳式驱动器作动 状态期间与该固定式梳齿所定义之平面相交。4. 如申请专利范围第3项之交错扭转静电梳式驱动器 ,其中该镜片在梳式驱动器作动状态期间绕着该扭 转枢纽枢转。5.如申请专利范围第1项之交错扭转 静电梳式驱动器,其中该预定垂直位移系于0.2及3.0 微米之间。6.如申请专利范围第1项之交错扭转静 电梳式驱动器,其中该移动式梳齿组件尚包含一锚 扣件,该扭转枢纽系定位于该镜片及该锚扣件之间 。7.如申请专利范围第1项之交错扭转静电梳式驱 动器,其中该移动式梳齿组件之厚度于10及500微米 之间。8.如申请专利范围第1项之交错扭转静电梳 式驱动器,其中该移动式梳齿组件包含一梳齿脊柱 ,其具有由该脊柱延伸在一第一方向中之第一组个 别梳齿及由该脊柱延伸在一第二方向中之第二组 个别梳齿。9.如申请专利范围第8项之交错扭转静 电梳式驱动器,尚包括一定位成选择性地啮合该第 二组个别梳齿之额外固定式梳齿组件;其中该第一 组个别梳齿选择性地啮合该固定式梳齿组件。10. 如申请专利范围第9项之交错扭转静电梳式驱动器 ,尚包括一定位在该额外固定式梳齿组件上方之堆 叠式梳齿组件。11.如申请专利范围第1项之交错扭 转静电梳式驱动器,尚包括包住该固定式梳齿组件 及该移动式梳齿组件之透明基板。12.如申请专利 范围第1项之交错扭转静电梳式驱动器,其中该镜 片包括多层之滤光器。13.一种交错扭转之静电梳 式驱动器,包括: 一固定式梳齿组件;及 一移动式梳齿组件,其包含一叶片及一扭转枢纽, 该移动式梳齿组件于一梳式驱动器静止状态期间 完全定位在该固定式梳齿组件上方达一预定垂直 位移。14.如申请专利范围第13项之交错扭转静电 梳式驱动器,其中该叶片支撑一已安装之电子零组 件。15.如申请专利范围第14项之交错扭转静电梳 式驱动器,其中该已安装电子零组件系一超音波转 换器。16.一种制造一交错扭转之静电梳式驱动器 之方法,该方法包括下列步骤: 于一第一晶圆中深沟道蚀刻一固定式梳齿组件; 将一第二晶圆接合至该第一晶圆,以形成包含该第 一晶圆、一氧化物层、及该第二晶圆之夹层结构; 在该第二晶圆中形成一移动式梳齿组件,该移动式 梳齿组件包含一叶片及一扭转枢纽,藉着该氧化物 层分开该移动式梳齿组件及该第一晶圆;及 移去该氧化物层之暴露部份以释放该交错扭转之 静电梳式驱动器。17.如申请专利范围第16项之方 法,其中该形成步骤包含蚀刻一外表面氧化物层之 第一步骤及蚀刻该第二晶圆以形成该移动式梳齿 组件之第二步骤。18.如申请专利范围第16项之方 法,尚包括在该叶片上沉积一反射性薄膜之步骤。 图式简单说明: 图1系本发明一简化交错扭转之静电梳式驱动器( Staggered Torsional Electrostatic Combdrive,下文简称STEC)于 一静止位置中之立体图。 图2系本发明该简化STEC于一作动位置中之立体图 。 图3系本发明之一STEC于一静止位置中之立体图。 图4说明用于制成本发明之一STEC之处理步骤。 图5A-5F说明按照图4之处理步骤所制本发明之一STEC 之结构。 图6说明本发明之一具体实施例,其具有双重安装 之移动式梳齿及一额外之固定式梳齿组件。 图7说明本发明之一具体实施例,其具有堆叠之固 定式梳齿组件。 图8说明本发明之一具体实施例,其具有双重安装 之移动式梳齿及堆叠之固定式梳齿组件。 |
