| 主权项 |
1.一种晶圆化学机械研磨抛光制程,其主要系将晶 圆化学机械研磨抛光制程分为二阶段,分别给予二 组不同之制程参数;其中,第一阶段考量之重点为 移除率,第二阶段考量之重点为晶片表面之不均匀 度,其中制程参数的设定系包括:研磨浆成份、晶 片施压大小、研磨垫背压、研磨平台转速、晶圆 载具转速及晶圆载具摆动速度等六项。2.如申请 专利范围第1项所述之晶圆化学机械研磨抛光制程 ,其中于第一阶段设定的最佳参数为: 研磨浆成份(Solid Content):25% 晶片施压大小(Down Force):12psi 研磨垫背压(Back Pressure):1psi 研磨平台转速(Platen Speed):60rpm 晶圆载具转速(Carrier Speed):11mm/sec3.如申请专利范 围第1或2项所述之晶圆化学机械研磨抛光制程,其 中于第二阶段设定的最佳参数为: 研磨浆成份(Solid Content):25% 晶片施压大小(Down Force):4psi 研磨垫背压(Back Pressure):3.5psi 研磨平台转速(Platen Speed):20rpm 晶圆载具转速(Carrier Speed):11mm/sec4.如申请专利范 围第3项所述之晶圆化学机械研磨抛光制程,其中 第一阶段的研磨时间为30秒,第二阶段的研磨时间 为20秒。5.如申请专利范围第3项所述之晶圆化学 机械研磨抛光制程,其中第一阶段的研磨时间为30 秒,第二阶段的研磨时间为25秒。6.如申请专利范 围第3项所述之晶圆化学机械研磨抛光制程,其中 第一阶段的研磨时间为30秒,第二阶段的研磨时间 为30秒。图式简单说明: 第一图:系化学机械研磨抛光制程之示意图 |
