主权项 |
1.一种气体转化方法,其包括使烃物质与氧或水蒸 汽反应以产生包含H2及CO之合成气体,使该合成气 体与烃合成触媒于可使该触媒可逆地失活之物质 存在下在可形成烃而使该触媒可逆地失活之反应 条件下反应,自该合成气体产制氢,及藉着至少一 个转化操作使所合成之烃之至少一部分升级,其中 该氢系供应进行如下所述之至少一种(a)藉着使该 触媒与该氢接触而使该触媒再生,及(b)于氢转化触 媒存在下与至少一部分该烃反应以改变其分子结 构而使其升级。2.如申请专利范围第1项之方法,其 中该氢系藉着(i)物理性分离方式及(ii)化学方式中 之至少一种而自该合成气体产制。3.如申请专利 范围第2项之方法,其中该氢系藉着包括物理性分 离之方式自该合成气体产制。4.如申请专利范围 第2项之方法,其中该氢产制方式包括水煤气轮换 反应。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该烃合 成触媒系包括费-托型触媒,其中所合成之烃中至 少一部分于温度及压力之标准室温条件下系为固 体。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该触媒系 包含催化性钴成分。7.如申请专利范围第6项之方 法,其中该烃合成反应系于淤浆中进行,该淤浆中 包含该烃合成触媒及该H2与CO位于淤浆液体中之气 泡,该淤浆液体中包含于该反应条件下系为液体之 该合成烃。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该 氢系用以使该触媒再生。9.如申请专利范围第3项 之方法,其中自该合成气物理性分离该氢产生一废 气,其包括供该烃合成使用之富含CO的废气。10.如 申请专利范围第8项之方法,其中自该合成气物理 性分离该氢产生一废气,其包括供该烃合成使用之 富含CO的废气。11.如申请专利范围第3项之方法,其 中该物理性分离包括使该合成气通过薄膜分离装 置,以产生富含氢之渗透物,其通过压力转换吸附 装置,以产制高纯度氢流。12.如申请专利范围第7 项之方法,其中该物理性分离包括使该合成气通过 薄膜分离装置,以产生富含氢之渗透物,其通过压 力转换吸附装置,以产制高纯度氢流。13.如申请专 利范围第8项之方法,其中该物理性分离包括使该 合成气通过薄膜分离装置,以产生富含氢之渗透物 ,其通过压力转换吸附装置,以产制高纯度氢流。 图式简单说明: 图1系为本发明之一具体实例之简易方块流程图, 其中自合成气产制之氢系使用于触媒再生及加氢 转化。 图2提供加氢转化之其他细节。 图3说明一具体实例,其中来自氢产制而富含CO之废 气系喂入HCS反应器,而富含氢之加氢转化尾气亦供 再生使用。 图4系为说明使用水煤气轮换反应及PSA之氢产制的 简易方块图。 |