| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对 向而配置,至少1个为透明的2个基板当中,单位像素 内,在第1基板上方,具备开关元件及像素电极及对 向电极,在该像素电极与对向电极之间,藉与该第1 基板略平行所发生的电场,来调变通过前述液晶层 之光的构成之液晶显示装置; 其特征为:在第1与第2基板之间,具备电阻系数为大 于106cm的黑色矩阵,而且在与观测之侧之透明 基板的液晶层为相反侧之面上方,备有透光性之薄 层电阻値在21014/以下的导电层,至少被形成 在像素形成领域, 前述第1及第2基板为透明,进而将背光组件备于前 述第1基板的下方,所被观察侧的基板为第2基板, 前述导电层之光透过率为高于34%, 前述导电层系为下述导电层之任一, (1)系为在贴着于前述第2透明基板的第2偏光板之 粘着材中,使其分散导电性粒子而构成之导电层, 该导电性粒子系为炭素或 含有ITO、SnO2.In2O3之中的一种之粒子,或其混合所 形成, (2)系为介隔第2透明基板与第2偏光板之间的导电 薄层, (3)系为介隔第2透明基板与第2偏光板之间的透明 导电膜之导电层,该透明导电膜系以ITO、SnO2.In2O3 之中之任一为主成分之膜, (4)系为被形成在第2偏光板表面之透明导电膜,该 透明导电膜,系为以ITO、SnO2.In2O3之中的任一种作 为主成分之膜。2.如申请专利范围第1项之液晶显 示装置,其中前述导电层系被接地。3.如申请专利 范围第1项之液晶显示装置,其中具有具备使其露 出前述显示部之开口部之导电性筐体,前述导电层 系为介由薄层电阻値为低于1108/的导电性材 料而被连接至前述筐体。4.如申请专利范围第3项 之液晶显示装置,其中前述导电性材料,系为导电 橡胶。5.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其 中前述导电性材料,系为银浆。6.如申请专利范围 第3项之液晶显示装置,其中前述导电性材料,系为 金属箔带。7.如申请专利范围第3项之液晶显示装 置,其中前述导电性材料,系为含有导电性粒子或 是导电性纤维的双方或是一方之有机材料。8.如 申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中前述黑 色矩阵以树脂组成物所形成。9.如申请专利范围 第8项之液晶显示装置,其中前述黑色矩阵的膜厚 以低于2m所形成。10.一种液晶显示装置,系为针 对备有液晶显示板、及背光组件,前述液晶显示板 ,系为在介由液晶层相互对向而被配置的透明基板 之间,单位像素内,具备像素电极及对向电极,在此 像素电极与对向电极之间,使用与透明基板略平行 所产生的电场,来调变透过前述液晶层之光的构成 ; 其特征为:在观测者侧的透明基板面上方与该透明 基板之间具有间隙而被配置有透明保护板, 前述保护板具备有导电膜, 前述导电膜系被接地, 前述液晶显示板及背光组件被内藏在导电性的筐 体,且保护板被支撑在前述筐体, 前述2个对向的基板上之各个偏光板的偏光轴为相 互90偏离。11.一种液晶显示装置,系为针对介由液 晶层相互对向而配置,至少1个为透明的2个基板当 中,单位像素内,在第1基板上方,具备开关元件及像 素电极及对向电极,在该像素电极与对向电极之间 ,藉与该第1基板略平行所发生的电场,来调变通过 前述液晶层之光的构成之液晶显示装置; 其特征为:在与观测之侧之透明基板之液晶层为相 反侧之面上,具光透过率为34%以上之透光性之导电 层至少形成于像素形成领域内, 前述第1及第2基板为透明,进而将背光组件备于前 述第1基板的下方,观察侧的基板为第2基板, 前述导电层,其薄层电阻値为低于21014/, 前述导电层系为下述导电层之中之任一, (1)系为在贴着于前述第2透明基板的第2偏光板之 粘着材中,分散导电性粒子而构成之导电层,该导 电性粒子系为炭素,或 含有ITO、SnO2.In2O3当中的一种之粒子,或其混合所 形成, (2)系为介于第2透明基板与第2偏光板之间的导电 薄层之导电层, (3)系为介于第2透明基板与第2偏光板之间的透明 导电膜,以ITO、SnO2.In2O3之中的任一为主成分之膜 构成之导电层, (4)系包含于第2偏光板之导电层, 前述导电层系包含于第2偏光板, 而且前述导电层系被接地。12.一种液晶显示装置, 系为针对介由液晶层相互对向而配置,至少1个为 透明的2个基板当中,单位像素内,在第1基板上方, 具备开关元件及像素电极及对向电极,在该像素电 极与对向电极之间,藉与该第1基板略平行所发生 的电场,来调变通过前述液晶层之光的构成之液晶 显示装置; 其特征为:在观测之侧之透明基板之液晶层的相反 侧之面上方,备有透光性的导电层至少被形成在像 素形成领域,藉由该导电层来防止外部电荷所引起 上述液晶层内部之电场紊乱。13.一种液晶显示装 置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,至少1个 为透明的2个基板当中,单位像素内,在第1基板上方 ,具备开关元件及像素电极及对向电极,在该像素 电极与对向电极之间,藉与该第1基板略平行所发 生的电场,来调变通过前述液晶层之光的构成之液 晶显示装置; 其特征为:在观测之侧之透明基板之液晶层的相反 侧之面上方,备有透光性的导电层至少被形成在像 素形成领域,藉由该导电层来防止面板表面摩擦时 画面变白之事,而且该防止在该面板之显示画面为 黑显示时较显着。14.一种液晶显示装置,系为针对 介由液晶层相互对向而配置,至少1个为透明的2个 基板当中,单位像素内,在第1基板上方,具备开关元 件及像素电极及对向电极,在该像素电极与对向电 极之间,藉与该第1基板略平行所发生的电场,来调 变通过前述液晶层之光的构成之液晶显示装置; 其特征为:在观测之侧之透明基板之液晶层之相反 侧之面上方,备有透光性的导电膜至少被以溅射法 形成在像素形成领域, 上述液晶层系在2.5m-4.5m之范围, 上述导电膜系由含ITO、SnO2.In2O3中之任一之粒子, 或其混合物形成者, 其薄层电阻値为21014/以下。15.一种液晶显示 装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,至少1 个为透明的2个基板当中,单位像素内,在第1基板上 方,具备开关元件及像素电极及对向电极,在该像 素电极与对向电极之间,藉与该第1基板略平行所 发生的电场,来调变通过前述液晶层之光的构成之 液晶显示装置; 其特征为:在观测之侧之透明基板之液晶层之相反 侧之面上方,配置偏光板,该偏光板包含具透光性 的导电层,而且在观察侧之透明基板之液晶层侧之 面上,不存在有导电膜之配线图型, 上述导电层,系由含有ITO、SnO2.In2O3中任一之粒子, 或其混合物形成者, 其薄层电阻値为21014/以下。图式简单说明: 第1图系为第1实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第2图系为第2实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第3图系为第3实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第4图系为第4实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第5图系为第5实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第6图系为第6实施例,且是筐体开口领域周边之要 部扩大断面图。 第7图系为过去例,且是筐体开口领域周边之要部 扩大断面图。 第8图系为表示在于过去的横电场方式液晶显示装 置所发生的电场之模式断面图。 第9图系为表示加入电界方向、研磨方向、偏光板 透过轴的关系之图。 第10图系为表示本发明主动矩阵型彩色液晶显示 装置之液晶显示部的一像素及其周边之要部平面 图。 第11图系为第10图的4-4切断线之薄膜电晶体元件TFT 的断面图。 第12图系为第10图的5-5切断线之储存容量Cstg的断 面图。 第13图系为表示基板SUB1侧的过程A-C之制造过程之 薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。 第14图系为表示基板SUB1侧的过程D-F之制造过程之 薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。 第15图系为表示基板SUB1侧的过程G-H之制造过程之 薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。 第16图系为横电场方式液晶显示元件的影像显示 领域之1像素的电极近旁的断面图与基板周边部的 断面图之图。 第17图系为用以说明显示板的矩阵周边部之构成 平面图。 第18图系为含有本发明主动矩阵型彩色液晶显示 装置之矩阵部及其周边之电路图。 第19图系为表示本发明主动矩阵型彩色液晶显示 装置的驱动波形之图。 第20图系为表示在液晶显示板安装周边的驱动电 路之状态的上面图。 第21图系为液晶显示模组的分解斜视图。 第22图系为第21图的F-F切断线之液晶显示模组的断 面图。 第23图系为第7实施例,且是液晶显示装置之要部断 面图。 第24图系为第8实施例,且是液晶显示装置之要部断 面图。 第25图系为说明安装了本发明液晶显示装置之资 讯处理装置的一例之个人电脑外观图。 |
