| 摘要 |
본 발명은, 투명 층을 패턴화하는 포토레지스트 층이 테이퍼된 에지에 주어지고 또 부분적으로 에칭되어 투명 전도성 층의 전도율을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 상기 부분 에칭은 선택적으로 도금되는 하부 투명 전도체 층의 에지 영역을 노출한다. 본 방법은 투명 층의 단일 패턴화 스테이지를 가지지만, (불투명할 수 있는) 전도성 층으로 코팅하는데 투명 층의 작은 에지 영역을 노출하기 위해 테이퍼된 레지스트 층을 부분 에칭 하는 것을 사용한다. |
