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Ein oberflächlich abstrahlendes Halbleiter-Laser-Bauelement umfasst ein GaAs-Substrat (51) und erste und zweite Laserbaugruppen (52, 53), die nacheinander und monolithartig auf dem GaAs-Substrat (51) gebildet werden. Die zweite Laserbaugruppe (53) hat eine aktive Schichtstruktur (70), welche eine Wellenlänge in der Bandlücke aufweist, die länger ist als die Wellenlänge in der Bandlücke der aktiven Schichtstruktur (58) der ersten Laserbaugruppe (52). Die zweite Laserbaugruppe (53) wird gepumpt durch einen ersten Laserstrahl, der durch die erste Laserbaugruppe (52) abgestrahlt wird, um den zweiten Laserstrahl abzustrahlen.
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