| 发明名称 |
Verwendung des Verfahrens zum Abscheiden einer Schicht von Halbleitermaterial aus einer gasfoermigen Verbindung dieses Halbleitermaterials |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1805970(A1) |
申请公布日期 |
1970.09.17 |
| 申请号 |
DE19681805970 |
申请日期 |
1968.10.30 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
WOLFGANG KELLER,DR.RER.NAT.;KERSTING,ARNO;KONRAD REUSCHEL,DR.PHIL.-NAT. |
| 分类号 |
C23C16/44;C23C16/01;C30B29/60;H01L21/22 |
主分类号 |
C23C16/44 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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