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经营范围
发明名称
Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnung unter Verwendung der selektiven CVD-Methode
摘要
申请公布号
DE69429951(T2)
申请公布日期
2002.10.10
申请号
DE1994629951T
申请日期
1994.07.01
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI
发明人
OHSHIMA, YOICHI;AOCHI, HIDEAKI
分类号
H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/285
主分类号
H01L21/285
代理机构
代理人
主权项
地址
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