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Durch ein Verfahren zur Herstellung eines lateralen Bipolartransistors mit einer Kollektorzone und einer Basiszone in einer SOI-Waferscheibe mit einer isolierenden Schicht, einer Siliciumschicht über der isolierenden Schicht, DOLLAR A mit einer Schutzschicht aus Oxid über der Siliciumschicht, DOLLAR A mit Gräben durch die Schutzschicht und die Siliciumschicht bis zu der isolierenden Schicht mit im Wesentlichen lateralen Wänden, die durch im Wesentlichen laterale Flächen der Schutzschicht und der Siliciumschicht begrenzt sind, DOLLAR A durch Implantation von Dotierstoffen in der Siliciumschicht, DOLLAR A bei dem die Implantation auf einer der im Wesentlichen lateralen Fläche der Siliciumschicht erfolgt, kann ein lateraler Bipolartransistor mit einer geringen lateralen Weite des dotierten Gebietes erhalten werden. DOLLAR A Es ist bevorzugt, dass die Basiszone durch Implantation unter einem Verkippungswinkel von 30 bis 60 DEG zwischen der Waferscheibennormalen und der Ionenstrahlrichtung der Ionenimplantation auf einer der im Wesentlichen lateralen Fläche der Siliciumschicht gebildet wird.
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