发明名称 ALD reactor employing electrostatic chuck
摘要 A process chamber for conducting an atomic layer deposition (ALD) process employs an electrostatic chuck (ESC) to retain the substrate. RF power is coupled to electrodes in the process chamber to generate ions and reactive atoms for depositing layers on the substrate.
申请公布号 US2002144657(A1) 申请公布日期 2002.10.10
申请号 US20010970867 申请日期 2001.10.03
申请人 CHIANG TONY P.;LEESER KARL F.;BROWN JEFFERY A.;BABCOKE JASON E. 发明人 CHIANG TONY P.;LEESER KARL F.;BROWN JEFFERY A.;BABCOKE JASON E.
分类号 C23C16/08;C23C16/18;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/515;H01J37/32;(IPC1-7):C23C16/00;H05H1/24 主分类号 C23C16/08
代理机构 代理人
主权项
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