无凹陷铜镶嵌结构的制造工艺

摘要

铜镶嵌互连的制造包括在诸如衬底或金属层等下面的导电层(102)上淀积一层氧化层(304),然后对它构图和蚀刻。随后具有任选的铜晶种层的阻挡层(308)淀积在经构图的氧化层(304)上。对阻挡层(308)进行构图并蚀刻,以除去一些阻挡层材料。在阻挡层(308)上镀敷铜(318)。进行CMP抛光以使铜层(318)到达阻挡层(308)的层面。继续抛光,以把阻挡层(308)及剩余的铜(318)抛光到氧化层(304)的层面。其结果是无凹陷的铜镶嵌结构。

主权项

1.在具有第一层材料的半导体器件中，一种形成铜结构的方法包括下述步骤：在所述第一层材料的第一表面上淀积一阻挡层；除去所述阻挡层的部分，以暴露所述第一表面的部分；在所述阻挡层的剩余部分上淀积一层铜，从而所述铜的大部分形成于所述阻挡层的所述剩余部分上；以及把所述铜层和所述阻挡层的部分平面化到所述第一表面的层面。