发明名称 发光或者受光用半导体器件及其制造方法
摘要 具有受光功能的半导体器件(10)例如具备由p型的硅单结晶形成的半导体元件(1)、第1,第2平坦面(2,7)、n型扩散层(3)及其pn结(4)、再结晶层(8)、防反射膜(6a)、负电极(9a)以及正电极(9b)等。替代该半导体元件(1)也能够采用圆柱状的半导体元件。
申请公布号 CN1373907A 申请公布日期 2002.10.09
申请号 CN00812460.4 申请日期 2000.10.20
申请人 中田仗祐 发明人 中田仗祐
分类号 H01L31/042;H01L33/00 主分类号 H01L31/042
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 孙敬国
主权项 1.一种发光或者受光用半导体器件,其特征在于,具备:由p型或者n型半导体形成的大致为球状的、在其中心两侧的两个顶部形成平行的第1、第2平坦面的半导体元件;形成于包含所述第1平坦面的半导体元件的表层部分上的扩散层以及通过所述扩散层形成的大致为球面状的pn结;以及分别设置在所述第1、第2平坦面上并且与所述pn结两端连接的第1、第2电极。
地址 日本京都府城阳市