半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件的结构及其制造方法,其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构,以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形,并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

主权项

1、一种包括多个TFTs的半导体器件，每个TFTs包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的栅极，其中该半导体器件包括：包括第一n沟道TFT的象素部分，该n沟道TFT具有由与栅极相同材料制成的源布线；包含包括第二n沟道TFT和第三n沟道TFT的电路的驱动电路；知由与栅极相同材料制成的端子部分。