半导体集成电路器件

摘要

在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：在半导体衬底基片内形成的第一半导体区域；在所述的第一半导体区域上形成的外延层；在所述的外延层内形成的并延伸到所述第一半导体区域的元件隔离绝缘薄膜；在所述外延层上形成的包括由热氧化所述外延层而形成氧化膜的MIS场效应晶体管的栅绝缘薄膜；在所述栅绝缘薄膜上形成的所述MIS场效应晶体管的栅极；在所述的外延层内形成的一对第二半导体区域，以构成所述的MIS场效应晶体管的源/漏区；其中所述的外延层具有的厚度大于所述的第二半导体区域的深度，和其中所述的外延层具有的杂质浓度低于所述的第一半导体区域的杂质浓度；和第三半导体区域，形成在所述外延层内的预定深度的位置上，具有的导电类型与所述的第二半导体区域的导电类型相反而杂质浓度高于所述外延层的杂质浓度，使得位于所述第三半导体区域之上所述外延层部分和位于所述第三半导体区域之下的所述外延层部分具有比所述第三半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度，其中所述第三半导体区域的最大杂质浓度是在比所述第二半导体区域的深度浅的位置处形成，其中所述第三半导体区域是在比所述的第二半导体区域浅的位置上形成，以和所述第二半导体区域接触。