<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einer auf einem Halbleitersubstrat angeordneten Metallschicht (10) mit folgenden Schritten vorgeschlagen: Aufbringen einer Siliziumschicht (30) auf die Metallschicht (10); Aufbringen einer Ätzmaske (25) zum Strukturieren der Siliziumschicht (30); selektives Ätzen der Siliziumschicht (30) unter Verwendung der Ätzmaske (25); und Strukturieren der Metallschicht (10) in einem Ätzprozess unter Verwendung der selektiv geätzten Siliziumschicht (30) als Hartmaske.</p>
