首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms
摘要
申请公布号 AU2002238059(A1) 申请公布日期 2002.10.03
申请号 AU20020238059 申请日期 2002.02.06
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 SRIKANTESWARA DAKSHINA-MURTHY;PAUL R. BESSER
分类号 H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com