发明名称 多晶硅、其生产方法及生产装置
摘要 内部具有气泡、表观密度为2.20g/cm<SUP>3</SUP>以下的带气泡多晶硅。该硅在破碎时微细粒子的发生非常少,而且可容易粉碎。这样的硅通过在氢的存在下,使含氢熔融的硅的液滴在0.2~3秒的时间内自然落下,使之冷却到液滴中封闭有氢气泡的状态而制得。这样的硅在具有以下结构的装置内制得,即在筒状容器中进行硅的析出、熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区,在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。
申请公布号 CN1372530A 申请公布日期 2002.10.02
申请号 CN01801220.5 申请日期 2001.05.09
申请人 德山株式会社 发明人 若松智;小田开行
分类号 C01B33/02 主分类号 C01B33/02
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈昕
主权项 1.一种带气泡多晶硅,其特征在于在内部有气泡,且表观察度为2.20g/cm3以下。
地址 日本山口