发明名称 | 多晶硅、其生产方法及生产装置 | ||
摘要 | 内部具有气泡、表观密度为2.20g/cm<SUP>3</SUP>以下的带气泡多晶硅。该硅在破碎时微细粒子的发生非常少,而且可容易粉碎。这样的硅通过在氢的存在下,使含氢熔融的硅的液滴在0.2~3秒的时间内自然落下,使之冷却到液滴中封闭有氢气泡的状态而制得。这样的硅在具有以下结构的装置内制得,即在筒状容器中进行硅的析出、熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区,在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。 | ||
申请公布号 | CN1372530A | 申请公布日期 | 2002.10.02 |
申请号 | CN01801220.5 | 申请日期 | 2001.05.09 |
申请人 | 德山株式会社 | 发明人 | 若松智;小田开行 |
分类号 | C01B33/02 | 主分类号 | C01B33/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
主权项 | 1.一种带气泡多晶硅,其特征在于在内部有气泡,且表观察度为2.20g/cm3以下。 | ||
地址 | 日本山口 |