CVD方法

摘要

一种CVD方法,适合于以具有良好特性为主的栅极用氧化膜的大量生产,该CVD方法中,通过具有多个贯通孔的导电性隔离壁部将CVD装置的真空容器内部隔离成等离子体生成空间和成膜处理空间,等离子体生成空间生成的激励活性种仅通过隔离壁部的贯通孔导入到成膜处理空间中,从外部向隔离壁部供给的材料气体从等离子体生成空间隔开并且通过经成膜处理空间和多个扩散孔相通的隔离壁部的内部空间和所述扩散孔导入成膜处理空间中,通过导入成膜处理空间中的激励活性种与材料气体在衬底上进行成膜。通过设置向衬底成膜的第一工序、和截断材料气体的导入并在第一工序中成膜的薄膜上仅照射激励活性种来促进氧化反应的第二工序来解决问题。

主权项

1.一种CVD方法，在真空容器内生成等离子体来产生激励活性种，用该激励活性种与材料气体在衬底上进行成膜，通过导电性隔离壁部将CVD装置的真空容器内部隔离成两个室，该隔离的两个室中，一个室的内部形成为配置高频电极的等离子体生成空间，另一室的内部形成为配置装载衬底的衬底保持机构的成膜处理空间，所述导电性隔离壁部具有连通所述等离子体生成空间和所述成膜处理空间的多个贯通孔，并且使用具有与所述等离子体生成空间隔开并且经所述成膜处理空间和多个扩散孔连通的内部空间的CVD装置，从外部向所述导电性隔离壁部的内部空间供给的材料气体通过所述多个扩散孔导入所述成膜处理空间，并且通过向所述高频电极施加高频功率以在所述等离子体生成空间产生等离子体放电，将所述等离子体生成空间生成的激励活性种通过所述导电性隔离壁部的多个贯通孔导入所述成膜处理空间，所述成膜处理空间中用导入的所述激励活性种和所述材料气体进行向衬底的成膜，其特征在于包括：用所述成膜处理空间中导入的所述激励活性种和所述材料气体向衬底成膜的第一工序；和使从外部向所述导电性隔离壁部的内部空间供给的材料气体的流量为零，对所述第一工序中成膜的薄膜上照射通过导电性隔离壁部的多个贯通孔导入成膜处理空间中的激励活性种的第二工序。