Halbleitervorrichtung

摘要

Es wird eine Halbleitervorrichtung angegeben, die einen mit einem gemeinsamen Kontaktloch (60) ausgebildeten Transistor beinhaltet, welches eine Gateelektrode (30) und eine einen Source-/Drainanschluss ausbildende Diffusionsschicht (20, 21) verbindet; sowie eine Halbleitervorrichtung mit der Gateelektrode (30) des Transistors und einem Verbindungsanschluss, dem die Kapazität zwischen Substraten (10) und die Kapazität zwischen der Gateelektrode (30) und dem Source-/Drainanschluss hinzugefügt werden, wodurch die Softerror-Widerstandsfähigkeit gegenüber Alphastrahlen und Neutronenstrahlen verbessert wird.