| 发明名称 |
Process of fabricating a storage capacitor for DRAM memory cell |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0844667(B1) |
申请公布日期 |
2002.10.02 |
| 申请号 |
EP19970119999 |
申请日期 |
1997.11.14 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
NIUYA, TAKAYUKI |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/60;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
