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Erfindungsgemäß wird ein Verfahren bzw. ein Halbleiterbauteil nach den nebengeordneten Ansprüchen 1 und 8 vorgeschlagen, bei dem eine zu messende interne Spannung (Vi) über einen angepassten Spannungsteiler (Ri, R0) geteilt und auf einen ausgewählten Anschlusspin (9, 10) geführt wird. Da beispielsweise in heutigen hochintegrierten Bauteilen üblicherweise keine unbelegten Anschlusspins vorhanden sind, wird von einem ausgewählten Anschlusspin (9, 10) für eine bestimmte Zeitspanne das angeschlossene Modul (2) abgehängt und die geteilte Messspannung (Vm) auf diesen Anschlusspin (9, 10) geführt. Dies erfolgt mit einer Steuerung (1), die entsprechende Schalter (4 bis 8) betätigt. Vorzugsweise wird dieses Verfahren bei Speicherbauteilen wie DRAM, SRAM usw. angewendet.
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