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Es werden Wasserstoff-Ionen (40) mit hoher Konzentration in einen amorphen Siliciumfilm (21) implantiert. Durch Implantation der Wasserstoff-Ionen (40) wird in dem amorphen Siliciumfilm (21) eine Wasserstoff-Ionen-Implantationsschicht (41) ausgebildet. Nachfolgend wird durch Ausführen einer Wärmebehandlung in einem Abschnitt des amorphen Siliciumfilms (21), der von dem Abschnitt, in dem die Wasserstoff-Ionen-Implantationsschicht (41) ausgebildet worden ist, verschieden ist, ein säulenförmiges Korn ausgebildet. Andererseits wird in der Wasserstoff-Ionen-Implantationsschicht (41) ein gekörntes Korn ausgebildet. Eine gekörnte Kornschicht (42) besitzt viele Korngrenzen, die in mehrere Richtungen verlaufen, wie etwa eine Korngrenze, die entlang einer Richtung der Filmdicke eines Polysiliciumsfilms (44a) verläuft, und eine Korngrenze, die entlang einer anderen Richtung als der der Filmdicke des Polysiliciumsfilms (44a) verläuft. Somit kann ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung geschaffen werden, das die durch das Eindringen eines Dotierungsmittels verursachte Schwankung der Schwellenspannung angemessen unterdrücken kann.
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